Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Выявление поверхностных состояний в топологических изоляторах Bi2-xSbxTe3-ySey по магнитотранспортным измерениям
Переводная версия: 10.1134/S106378341902029X 
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия 
Email: chmil@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
С целью выявления электронных поверхностных состояний в пленках топологических изоляторов Bi2-xSbxTe3-ySey различного состава исследовалось влияние магнитного поля и температуры на их проводимость. Экспериментальные данные могут быть объяснены в рамках модели с двумя типами носителей заряда. В объеме пленки наблюдается термоактивационная проводимость, электронная или дырочная, в зависимости от состава образца, а на поверхности имеются металлоподобные электронные состояния. Заметный вклад поверхностных топологических состояний в величину общей проводимости открывает возможность их исследования. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки PФ (базовая часть государственного задания), при частичной поддержке РФФИ (проекты N 17-07-00241А и N 17-02-00309) и программ РАН.
- M.Z. Hazan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys. 82, 3045 (2010)
- X-L. Qi, S-C. Zhang. Rev. Mod. Phys. 83, 1057 (2011)
- Y. Ando. J. Phys. Soc. Jpn. 82, 102001 (2013)
- Zhi Ren, A.A. Taskin, S. Sasaki, K. Segawa, Y. Ando. Phys. Rev. B 84, 165311 (2011)
- P.I. Kuznetsov, G.G. Yakushcheva, B.S. Shchamkhalova, V.A. Jitov, A.G. Temiryazev, V.E. Sizov, V.O. Yapaskurt. J. Cryst. Growth 483, 216-222 (2018)
- T. Arakane, T. Sato, S. Souma, K. Kosaka, K. Nakayama, M. Komatsu, T. Takahashi, Zhi Ren, K. Segawa, Y. Ando. Nature Commun. 3, 636 (2012)
- B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer-Verlag, Berlin (1984)
- B. Skiner, T. Chen, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. Lett. 109, 176801 (2012)
- B. Skiner, T. Chen, B.I. Shklovskii. ЖЭТФ 144, 662 (2013)
- P.I. Kuznetsov, B.S. Shchamkhalova, V.O. Yapaskurt, V.D. Shcherbakov, V.A. Luzanov, G.G. Yakushcheva, V.A. Jitov, V.E. Sizov. J. Cryst. Growth 471, 1-7 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
