Вышедшие номера
Влияние фононов на электронный спектр в полупроводниковых малоразмерных квантовых точках, помещенных в диэлектрическую среду
Ткач Н.В.1, Фартушинский Р.Б.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Email: theormyk@chnu.cv.ua
Поступила в редакцию: 27 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

Методом диаграммной техники для функций Грина с учетом многофононных процессов исследованы электронные уровни и соответствующие им фононные повторения в полупроводниковой квантовой точке (КТ), помещенной в диэлектрик. На примерах КТ GaAs, CdSe, CuCl, введенных в стекло, показано, что при конечной глубине потенциальных ям КТ с уменьшением размеров КТ величины сдвигов электронных уровней уменьшаются независимо от силы электрон-фононной связи в наногетеросистеме. Теоретически рассчитанные положения фононных повторений для CdSe в стекле хорошо согласуются с установленными экспериментально методом рамановского рассеяния.