Издателям
Вышедшие номера
Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом
Переводная версия: 10.1134/S1063783418110033
Данилов Ю.А.1, Кудрин А.В.1, Лесников В.П.1, Вихрова О.В.1, Крюков Р.Н.1, Антонов И.Н.1, Толкачев Д.С.1, Алафердов А.В.2, Кунькова З.Э.3, Темирязева М.П.3, Темирязев А.Г.3
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Center for Semiconductor Components and Nanotechnologies, State University of Campinas, Campinas, Brazil
3Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: danilov@nifti.unn.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Экспериментально исследованы слои полупроводников InAs, InSb и GaSb, сильнолегированных железом в процессе выращивания методом импульсного лазерного нанесения. Установлено, что наилучшими температурами для формирования слоев на подложках GaAs(100) являются 250oC (InSb : Fe), 300oC (InAs : Fe) и 350oC (GaSb : Fe). При высоких концентрациях Fe (более 10 at.%) слои обладают ферромагнитными свойствами, выражающимися в появлении петли гистерезиса на магнитополевых зависимостях сопротивления Холла, отрицательного магнетосопротивления и в некоторых случаях --- намагниченности ферромагнитного типа при комнатной температуре измерений. Атомы железа не изменяют тип проводимости слоев; при этом слои InAs : Fe, InSb : Fe обладают проводимостью n-типа, а GaSb : Fe --- p-типа за счет собственных точечных дефектов. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания --- проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России и при поддержке РФФИ (гранты N 17-37-80008_мол_эв_а, 16-07-01102_а).
  1. T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014)
  2. P.N. Hai, L.D. Anh, S. Mohan, T. Tamegai, M. Kodzuka, T. Ohkubo, K. Hono, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 101, 182403 (2012)
  3. P.N. Hai, L.D. Anh, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 101, 252410 (2012)
  4. L.D. Anh, P.N. Hai, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 104, 042404 (2014)
  5. D. Sasaki, L.D. Anh, P.N. Hai, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 104, 142406 (2014)
  6. N.T. Tu, P.N. Hai, L.D. Anh, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 105, 132402 (2014)
  7. N.T. Tu, P.N. Hai, L.D. Anh, M. Tanaka. Phys. Rev. B 92, 144403 (2015)
  8. N.T. Tu, P.N. Hai, L.D. Anh, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 108, 192401 (2016)
  9. L.D. Anh, D. Kaneko, P.N. Hai, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 107, 232405 (2015)
  10. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников. ФТТ 52, 2124 (2010)
  11. Q. Liu, C.L. Yuan, C.L. Gan, G.C. Han. J. Appl. Phys. 110, 033907 (2011)
  12. A.S. Kuz'mina, А.А. Lotin, O.A. Novodvorsky, N.S. Perov, E.A. Gan'shina, L.A. Makarova, A.S. Semisalova, A.G. Shneider, M.P. Kuz'min, S.S. Kolesnikov. Mater. Chem. Phys. 198, 291 (2017)
  13. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников. Наука, М. (1977). 368 с
  14. P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys. 81, 5821 (1997)
  15. A.V. Kudrin, Yu.A. Danilov, V.P. Lesnikov, M.V. Dorokhin, O.V. Vikhrova, D.A. Pavlov, Yu.V. Usov, I.N. Antonov, R.N. Kriukov, A.V. Alaferdov, N.A. Sobolev. J. Appl. Phys. 122, 183901 (2017)
  16. А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов, В.П. Лесников, Е.А. Питиримова. ПЖТФ 42, 2, 63 (2016)
  17. А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов, В.П. Лесников, О.В. Вихрова, Д.А. Павлов, Ю.В. Усов, Е.А. Питиримова, И.Н. Антонов. ФТТ 59, 2200 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.