Издателям
Вышедшие номера
Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры
Переводная версия: 10.1134/S1063783418100116
Китаев Ю.Э.1, Кукушкин С.А.1,2,3,4, Осипов А.В.2,3, Редьков А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Исследована новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC, существование которой было ранее теоретически предсказано путем симметрийного анализа. Показано, что фаза может образовываться в процессе роста пленок SiC методом замещения атомов на поверхности подложки Si. Проведены ab initio расчеты кристаллической структуры новой фазы и ее рамановских спектров методом квантовой химии. Установлено отличие правил отбора раман-активных колебаний для этой ромбоэдрической фазы от правил отбора кубической фазы в системе координат, совмещенной с векторами трансляций ромбоэдрической фазы. Синтезированы серии по времени отжига тонких пленок SiC/Si методом топохимического замещения атомов, и проанализированы их рамановские спектры. В рамановских спектрах образцов на начальном этапе роста пленки SiC обнаружено присутствие спектральной линии (258 cm-1), которая близка к расчитанной ab initio методом линии новой тригональной (ромбоэдрической) фазы, что косвенно подтверждает ее наличие. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов и А.В. Редьков благодарят за финансовую поддержку (Ю.Э. Китаев --- за частичную финансовую поддержку) РФФИ (грант N 16-29-03149-офи-м).
  • S. Strite, H. Morko. J. Vac. Sci. Technol. B  10, 1237 (1992)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, V.N. Bessolov, B.K. Medvedev, V.K. Nevolin, K.A. Tcarik. Rev. Adv. Mater. Sci. 17, 1 (2008)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.Ф. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024909 (2013)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014)
  • Ю.Э. Китаев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 59, 30 (2017)
  • P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A. Dal Corso, S. de Gironcoli, S. Fabris, G. Fratesi, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch.  J. Phys.: Condtns. Matter. 21, 395502 (2009)
  • J.P. Perdew, G.I. Ruzsinszky, G.I. Csonka, O.A. Vydrov, G.E. Scuseria, L.A. Constantin, X. Zhou, K. Burke. Phys. Rev. Lett. 100, 136406 (2008)
  • J.F. Vetelino, S.S. Mitra. Phys. Rev. 178, 1349 (1969)
  • D.W. Feldman, J.H. Parker Jr., W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev. 173, 787 (1968)
  • M.I. Aroyo, J.M. Perez-Mato, C. Capillas, E. Kroumova, S. Ivantchev, G. Madariaga, A. Kirov, H. Wondratschek. Z. Krist.  221, 15 (2006)
  • M.I. Aroyo, A. Kirov, C. Capillas, J.M. Perez-Mato, H. Wondratschek. Acta Crystallogr. A 62, 115 (2006)
  • M.I. Aroyo, J.M. Perez-Mato, D. Orobengoa, E. Tasci, G. de la Flor, A. Kirov. Bulg. Chem. Commun.  43, 183 (2011). 
  • J. Estel, J. Kalus, L. Pintschovius. Phys. Status Solidi A 126, 121 (1984)
  • F. Cerdeira, C.J. Buchenauer, F.H. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev. B 5, 580 (1972)
  • И.П. Калинкин, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 52, 656 (2018)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.