Вышедшие номера
Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры
Переводная версия: 10.1134/S1063783418100116
Китаев Ю.Э.1, Кукушкин С.А.1,2,3,4, Осипов А.В.2,3, Редьков А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Исследована новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC, существование которой было ранее теоретически предсказано путем симметрийного анализа. Показано, что фаза может образовываться в процессе роста пленок SiC методом замещения атомов на поверхности подложки Si. Проведены ab initio расчеты кристаллической структуры новой фазы и ее рамановских спектров методом квантовой химии. Установлено отличие правил отбора раман-активных колебаний для этой ромбоэдрической фазы от правил отбора кубической фазы в системе координат, совмещенной с векторами трансляций ромбоэдрической фазы. Синтезированы серии по времени отжига тонких пленок SiC/Si методом топохимического замещения атомов, и проанализированы их рамановские спектры. В рамановских спектрах образцов на начальном этапе роста пленки SiC обнаружено присутствие спектральной линии (258 cm-1), которая близка к расчитанной ab initio методом линии новой тригональной (ромбоэдрической) фазы, что косвенно подтверждает ее наличие. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов и А.В. Редьков благодарят за финансовую поддержку (Ю.Э. Китаев - за частичную финансовую поддержку) РФФИ (грант N 16-29-03149-офи-м).