Вышедшие номера
Модель идеальной релаксации термоупругих напряжений при выращивании монокристаллов
Ханнанов Ш.Х.1, Никаноров С.П.2, Бахолдин С.И.2
1Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: imep@anrb.ru, nikanorov@pop.ioffe.rssi.
Поступила в редакцию: 25 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Предложена простая дислокационная модель релаксации термоупругих напряжений, возникающих при выращивании монокристаллов из расплава. Данная модель не требует решения кинетических уравнений для дислокаций, участвующих в процессе релаксации, и позволяет получить оценку снизу плотности дислокаций в объеме выращенного кристалла.