Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности эффекта поля в структуре металл-сегнетоэлектрик-полупроводник при использовании многослойных сегнетоэлектрических пленок с различными структурными типами
Переводная версия: 10.1134/S1063783418090202 
РФФИ, 16-29-14013
Мухортов В.М.
1, Головко Ю.И.
1, Павленко А.В.
1, Стрюков Д.В.
1, Бирюков С.В.
1, Ковтун А.П.
1, Зинченко С.П.
1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
Email: mukhortov1944@mail.ru, urgol@rambler.ru
Поступила в редакцию: 22 января 2018 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.
Показана возможность осаждения на легированный кремний пленочных сегнетоэлектрических структур Sr0.5Ba0.5Nb2O6+Ba0.2Sr0.8TiO3 и Ba0.8Sr0.2TiO3+Ba0.4Sr0.6TiO3 с низкой плотностью интерфейсных дефектов. Изучение пьезоотклика квазистатическим методом (площадь электрода 0.07 mm2) показало, что в гетероструктурах имеет место изначальное поляризованное состояние сегнетоэлектрика с направлением спонтанной поляризации по нормали к подложке независимо от типа проводимости Si. Установлено, что это поляризованное состояние связано с двумерными напряжениями в сегнетоэлектрике, которыми можно управлять с помощью предварительно созданного на подложке подслоя BaxSr1-xTiO3 и толщиной этого подслоя. Переключение поляризации в гетероструктурах Sr0.5Ba0.5Nb2O6/Si и Ba0.8Sr0.2TiO3/Si при внешнем полевом воздействии происходит только при использовании предварительно нанесенного на кремний подслоя титаната бария-стронция. Уменьшение на 15% величины переключаемой поляризации в структурах Ba0.8Sr0.2TiO3/Ba0.4Sr0.6TiO3/Si происходит в течение 500 h. Исследование выполнено в рамках реализации Государственного задания по проекту N 0120-1354-247) и при поддержке РФФИ (грант N 16-29-14013).
- Y. Qi, A.M. Rappe. Phys. Rev. Appl. 4, 044014 (2015)
- C.-B. Eom, S. Trolier-McKinstry. MRS Bull. 37, 1007 (2012)
- M.D. McDaniel, T.Q. Ngo, S. Hu, A. Posadas, A.A. Demkov. Appl. Phys. Rev. 2, 041301 (2015)
- L. Mazet, S.M. Yang, S.V. Kalinin, S. Schamm-Chardon, C. Dubourdieu. Sci. Technol. Adv. Mater. 16, 036005 (2015)
- В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, С.В. Бирюков, А. Анохин, Ю.И. Юзюк. ЖТФ 86, 93 (2016)
- R.A. McKee, F.J. Walker, M.F. Chisholm. Phys. Rev. Lett. 81, 3014 (1998)
- G. Niu, S. Yin, G. Saint-Girons, B. Gautier, P. Lecoeur, V. Pillard. Microelectron. Eng. 88, 1232 (2011)
- S.-H. Baek, C.-B. Eom. Acta Mater. 61, 2734 (2013)
- Z. Yu, J. Ramdani, J.A. Curless, C.D. Overgaard, J.M. Finder, R. Droopad, K.W. Eisenbeiser, J.A. Hallmark, W.J. Ooms. J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2139 (2000)
- V. Vaithyanathan, J. Lettieri, W. Tian, A. Sharan, A. Vasudevarao, Y.L. Li. J. Appl. Phys. 100, 024108 (2006)
- Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, М. (1982). 400 с
- В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. ЮНЦ РАН, Ростов н/Д (2008). 224 с
- В.М. Мухортов, В.В. Колесников, Ю.И. Головко, А.И. Мащенко, С.В. Бирюков. ЖТФ 75, 126 (2005)
- С.В. Бирюков, Ю.И. Головко, С.И. Масычев, В.М. Мухортов, А.П. Шелепо. ЖТФ 79, 90 (2009)
- M. Molotskii, Y. Rosenwaks, G. Rosenman. Ann. Rev. Mater. Res. 37, 271 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
