Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия
Томский государственный университет, Программа повышения конкурентоспособности ТГУ, 8.2.18.2017
Кособуцкий А.В.
1, Саркисов С.Ю.
21Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: kosobutsky@kemsu.ru, sarkisov@mail.tsu.ru
Поступила в редакцию: 28 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.
С использованием методов теории функционала плотности выполнены расчеты электронной зонной структуры слоистого полупроводника GaTe гексагональной модификации. Структурные параметры объемного кристалла с симметрией beta-политипа определены с учетом ван-дер-ваальсовых взаимодействий и согласуются с экспериментальными данными для поликристаллических пленок в пределах 2%. Получены оценки положения экстремумов верхней валентной зоны и нижней зоны проводимости относительно уровня вакуума для объемного beta-GaTe и для ультратонких пластин с числом элементарных слоев от 1 до 10, что соответствует диапазону толщины 0.5-8 nm. Расчеты показывают, что гексагональный GaTe является непрямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны, варьирующейся от 0.8 eV в объемном материале до 2.3 eV в монослое. Работа поддержана грантом N 8.2.18.2017 в рамках Программы повышения конкурентоспособности ТГУ.
- J.F. Sanchez-Royo, A. Segura, V. Munoz. Phys. Status Solidi A 151, 257 (1995)
- Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев. ФТТ 59, 1060 (2017)
- V.N. Brudnyi, S.Yu. Sarkisov, A.V. Kosobutsky. Semicond. Sci. Technol. 30, 115019 (2015)
- A.V. Kosobutsky, S.Yu. Sarkisov, V.N. Brudnyi. J. Phys. Chem. Solids 74, 1240 (2013)
- P. Hu, J. Zhang, M. Yoon, X.-F. Qiao, X. Zhang, W. Feng, P. Tan, W. Zheng, J. Liu, X. Wang, J.C. Idrobo, D.B. Geohegan, K. Xiao. Nano Res. 7, 694 (2014)
- F. Wang, Z. Wang, K. Xu, F. Wang, Q. Wang, Y. Huang, L. Yin, J. He. Nano Lett. 15, 7558 (2015)
- И.В. Антонова. ФТП 50, 67 (2016)
- С.А. Семилетов, В.А. Власов. Кристаллография 8, 877 (1963). [S.A. Semiletov, V.A. Vlasov. Sov. Phys.-Crystallogr. 8, 704 (1964)]
- E.G. Gillan, A.R. Barron. Chem. Mater. 9, 3037 (1997)
- N.N. Kolesnikov, E.B. Borisenko, D.N. Borisenko, A.V. Timonina. J. Cryst. Growth 365, 59 (2013)
- Q. Zhao, T. Wang, Y. Miao, F. Ma, Y. Xie, X. Ma, Y. Gu, J. Li, J. He, B. Chen, S. Xi, L. Xu, H. Zhen, Z. Yin, J. Li, J. Rena, W. Jie. Phys. Chem. Chem. Phys. 18, 18719 (2016)
- C.J. Bae, J. McMahon, H. Detz, G. Strasser, J. Park, E. Einarsson, D.B. Eason. AIP Adv. 7, 035113 (2017)
- H.L. Zhuang, R.G. Hennig. Chem. Mater. 25, 3232 (2013)
- S.Y. Sarkisov, A.V. Kosobutsky, S.D. Shandakov. J. Solid State Chem. 232, 67 (2015)
- С.Ю. Саркисов, А.В. Кособуцкий, В.Н. Брудный, Ю.Н. Журавлев. ФТТ 57, 1693 (2015)
- P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini. J. Phys.: Condens. Matter 21, 395502 (2009)
- D.A. Bandurin, A.V. Tyurnina, G.L. Yu, A. Mishchenko, V. Zolyomi, S.V. Morozov, R.K. Kumar, R.V. Gorbachev, Z.R. Kudrynskyi, S. Pezzini, Z.D. Kovalyuk, U. Zeitler, K.S. Novoselov, A. Patane, L. Eaves, I.V. Grigorieva, V.I. Fal'ko, A.K. Geim, Y. Cao. Nature Nanotechnol. 12, 223 (2017)
- D.V. Rybkovskiy, A.V. Osadchy, E.D. Obraztsova. Phys. Rev. B 90, 235302 (2014)
- J.P. Perdew, M. Levy. Phys. Rev. Lett. 51, 1884 (1983)
- З.А. Джахангирли, Ф.М. Гашимзаде, Д.А. Гусейнова, Б.Г. Мехтиев, Н.Б. Мустафаев. ФТТ 58, 1707 (2016)
- J.A. Olmos-Asar, C.R. Leao, A. Fazzio. RSC Adv. 7, 32383 (2017)
- J.J. Fonseca Vega. Bandgap engineering of gallium telluride. PhD Thesis. University of California, Berkeley (2017). P. 53
- А.В. Кособуцкий, А.Б. Гордиенко. ФТТ 57, 1922 (2015)
- A.V. Kosobutsky, Yu.M. Basalaev. Solid State Commun. 199, 17 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
