Экспериментально зарегистрирована термостимулированная эмиссия электронов из сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата (ТГС) с примесью хрома в температурной области, превышающей точку Кюри на 6 K для образцов, нагреваемых с относительно высокой скоростью. Показано, что увеличение скорости нагрева q приводит к увеличению плотности эмиссионного тока во всей исследуемой области температур. В кристалле ТГС с примесью хрома температура возникновения эмиссии зависит от скорости q незначительно и близка к случаю чистого ТГС, а температура исчезновения эмиссии монотонно увеличивается с увеличением q при относительно низких скоростях нагрева и стабилизируется при высоких q. В то же время интервал затягивания эмиссии в парафазу здесь примерно в 2 раза меньше, чем для случая чистого ТГС, нагреваемого с той же скоростью. Особенности эмиссии исследуемого кристалла объясняются релаксацией зарядов экранирования спонтанной поляризации. Меньшая температура окончания эмиссии по сравнению с чистым кристаллом ТГС в кристалле с примесью хрома объясняется меньшим временем максвелловской релаксации в примесном кристалле. Работа выполнена при поддержке Американского фонда гражданских исследований и развития для независимых государств бывшего Советского Союза (CRDF) (грант VZ-010) и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16828).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.