Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2018, выпуск 8 » Статья стр. 1556
<<<>>>
Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn
DOI: 10.21883/FTT.2018.08.46242.22Gr
Переводная версия: 10.1134/S106378341808005X
Димитриев Г.С.1, Сапега В.Ф.1, Аверкиев Н.С.1, Debus J.2, Lahderanta E.3, Крайнов И.В.1,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, Dortmund, Germany
3Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
Email: dimitriev@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
PDF версия
Исследована энергетическая структура акцептора марганца, состоящего из иона Mn2+ и валентной дырки, при наличии внешнего магнитного поля и одноосной деформации. Исследованы спектры непругого рассеяния света с переворотом спина при резонансном возбуждении экситона, связанного на акцепторе Mn. Измерены g-факторы основного F=1 и первого возбужденного F=2 состояний, описаны правила оптических переходов между состояниями акцептора. Определена величина случайного поля (деформации или электрического поля), действующего на акцептор марганца, и деформационный потенциал для константы обменного взаимодействия комплекса Mn2++ дыркa. Развита теоретическая модель, учитывающая влияние случайного поля деформации, внешней одноосной деформации и магнитного поля. Предложенная модель хорошо описывает линии неупругого рассеяния света с переворотом спина акцептора Mn. Работа поддержана грантом РФФИ N 15-52-12017 ННИО-а и грантом Правительства РФ (договор N 14.Z50.31.0021, 07.04.2014-31.12.2018) и программой президиума РАН N 5 "Электронный спиновый резонанс, спин-зависящие электронные эффекты и спиновые технологии".
  1. S.A. Wolf, D.D. Awschalom, R.A. Buhrman, J.M. Daughton, S. Von Molnar, M.L. Roukes, A.Y. Chtchelkanova, D.M. Treger. Science 294, 1488 (2001)
  2. J.S. Moodera, L.R. Kinder, T.M. Wong, R. Meservey. Phys. Rev. Lett. 74, 3273 (1995)
  3. E.B. Myers. Science 285, 867 (1999)
  4. H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye. Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996)
  5. J.A. Gaj, J. Kossut. Introduction to the Physics of Diluted Magnetic Semiconductors. Springer Science \& Business Media. (2011). V. 144
  6. M. Abolfath, T. Jungwirth, J. Brum, A.H. MacDonald. Phys.cal Rev. B 63, 054418 (2001)
  7. I. Zutic, J. Fabian, S.D. Sarma. Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004)
  8. A. Kirilyuk, A.V. Kimel, T. Rasing. Reviews of Modern Physics 82, 2731 (2010)
  9. G. Schmidt, G. Richter, P. Grabs, C. Gould, D. Ferrand, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. Lett. 87, 227203 (2001)
  10. M. Tanaka, Y. Higo. Phys. Rev. Lett. 87, 026602 (2001)
  11. H.X. Tang, R.K. Kawakami, D.D. Awschalom, M.L. Roukes. Phys. Rev. Lett. 90, 107201 (2003)
  12. H. Tang, M.K. Roukes. Sensors based on giant planar hall effect in dilute magnetic semiconductors (2007) US Patent 7,249,518
  13. T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014)
  14. M. Glunk, J. Daeubler, L. Dreher, S. Schwaiger, W. Schoch, R. Sauer, W. Limmer, A. Brandlmaier, S.T.B. Goennenwein, C. Bihler, M.S. Brandt. Phys. Rev. B 79, 195206 (2009)
  15. V. Novak, K. Olejnik, J. Wunderlich, M. Cukr, K. Vyborny, A.W. Rushforth, K.W. Edmonds, R.P. Campion, B.L. Gallagher, Jairo Sinova, T. Jungwirth. Phys. Rev. Lett. 101, 077201 (2008)
  16. T. Jungwirth, K.Y. Wang, J. Mavsek, K.W. Edmonds, Jurgen Konig, Jairo Sinova, M. Polini, N.A. Goncharuk, A.H. MacDonald, M. Sawicki, A.W. Rushforth, R.P. Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Phys. Rev. B 72, 165204 (2005)
  17. A. Oiwa, Y. Mitsumori, R. Moriya, T. Slupinski, H. Munekata. Phys. Rev. Lett. 88, 137202 (2002)
  18. H. Ohno, D. Chiba, F. Matsukura, T. Omiya, E. Abe, T. Dietl, Y. Ohno, K. Ohtani. Nature 408, 944 (2000)
  19. A. Shen, H. Ohno, F. Matsukura, Y. Sugawara, N. Akiba, T. Kuroiwa, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye. J. Cryst. Growth 175- 176, 1069 (1997)
  20. U. Welp, V.K. Vlasko-Vlasov, X. Liu, J.K. Furdyna, T. Wojtowicz. Phys. Rev. Lett. 90, 167206 (2003)
  21. A.V. Scherbakov, A.S. Salasyuk, A.V. Akimov, X. Liu, M. Bombeck, C. Bruggemann, D.R. Yakovlev, V.F. Sapega, J.K. Furdyna, M. Bayer. Phys. Rev. Lett. 105, 117204 (2010)
  22. M. Bombeck, A.S. Salasyuk, B.A. Glavin, A.V. Scherbakov, C. Bruggemann, D.R. Yakovlev, V.F. Sapega, X. Liu, J.K. Furdyna, A.V. Akimov, M. Bayer. Phys. Rev. B 85, 195324 (2012)
  23. V.F. Sapega, I.V. Kraynov, N.I. Sablina, G.S. Dimitriev, N.S. Averkiev, K.H. Ploog. Solid State Commun. 157, 34 (2013)
  24. W. Schairer, M. Schmidt. Phys. Rev. B 10, 2501 (1974)
  25. И.Я. Карлик, И.А. Меркулов, Д.Н. Мирлин, Л.П. Никитин, В.И. Перель, В.Ф. Сапега. 24, 3550 (1982)
  26. J. Schneider, U. Kaufmann, W. Wilkening, M. Baeumler, F. Kohl. Phys. Rev. Lett. 59, 240 (1987)
  27. H.C. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков. ФТТ 30, 765 (1988)
  28. M. Linnarsson, E. Janzen, B. Monemar, M. Kleverman, A. Thilderkvist. Phys. Rev. B 55, 6938 (1997)
  29. V.F. Sapega, T. Ruf, M. Cardona. Phys. Status Solidi b 226, 339 (2001)
  30. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков. Модель глубокого центра MnGa в GaAs AH CCCP, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Л. (1988)
  31. V.F. Sapega, M. Moreno, M. Ramsteiner, L. Daweritz, K. Ploog. Phys. Rev. B 66, 075217 (2002)
  32. A. Petrou, D.L. Peterson, S. Venugopalan, R.R. Galazka, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Phys. Rev. Lett. 48, 1036 (1982)
  33. D.L. Peterson, D.U. Bartholomew, U. Debska, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Phys. Rev. B 32, 323 (1985)
  34. A. Petrou, D.L. Peterson, S. Venugopalan, R.R. Galazka, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Phys. Rev. B 27, 3471 (1983)
  35. I.V. Krainov, V.F. Sapega, N.S. Averkiev, G.S. Dimitriev, K.H. Ploog, E. Lahderanta. Phys. Rev. B 92, 245201 (2015)
  36. J. Debus, D. Dunker, V.F. Sapega, D.R. Yakovlev, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, M. Bayer. Phys. Rev. B 87, 205316 (2013)
  37. J. Debus, V.F. Sapega, D. Dunker, D.R. Yakovlev, D. Reuter, A.D. Wieck, M. Bayer. Phys. Rev. B 90, 235404 (2014)
  38. H.B. Bebb, E.W. Williams. Semiconductors and Semimetals / Eds R.K. Willardson, A.C. Beer. Academic Press, N.Y., London. (1972)
  39. T. Jungwirth, J. Sinova, J. Mavsek, J. Kuvcera, A.H. MacDonald. Rev. Mod. Phys. 78, 809 (2006)
  40. V.F. Sapega, N.I. Sablina, I.E. Panaiotti, N.S. Averkiev, K.H. Ploog. Phys. Rev. B 80, 041202 (2009)
  41. Ю.А. Буренков,Ю.М. Бурдуков, С.Ю. Давыдов, С.П. Никаноров. ФТТ 15, 1757 (1973)
  42. K.M. Yu, W. Walukiewicz, T. Wojtowicz, I. Kuryliszyn, X. Liu, Y. Sasaki, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B 65, 201303 (2002)
  43. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Н.М. Колчанова, М.А. Рещиков. ФТТ 18, 1629 (1984)
  44. A.M. Monakhov, N.I. Sablina, N.S. Averkiev, C. Celebi, P.M. Koenraad. Solid State Commun. 146, 416 (2008)
  45. A.M. Yakunin, A.Yu. Silov, P.M. Koenraad, J.-M. Tang, M.E. Flatte, J.-L. Primus, W. Van Roy, J. De Boeck, A.M. Monakhov, K.S. Romanov, I.E. Panaiotti, N.S. Averkiev. Nature Materials 6, 512 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme