Сравнительное исследование латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe3O4/SiO2/n-Si и Fe3O4/SiO2/p-Si
Российская академия наук, Комплексная программа фундаментальных исследований ДВО РАН «Дальний Восток», 18-3-022
Писаренко T.A.
1,2, Балашев В.В.
1,2, Викулов В.A.
1, Димитриев A.A.
1,2, Коробцов В.В.
1,21Институт автоматики и процессов управления ДО РАН, Владивосток, Россия
2Дальневосточный федеральный университет, Владивосток, Россия
Email: tata_dvo@iacp.dvo.ru, balashev@mail.dvo.ru, vikulov@iacp.dvo.ru, corrupter@mail.ru, korobtsov@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 9 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
Представлены результаты сравнительного исследования латерального фотовольтаического эффекта в структурах Fe3O4/SiO2/n-Si и Fe3O4/SiO2/p-Si. В обеих структурах латеральное фотонапряжение максимально вблизи измерительных контактов, но имеет противоположный знак. При смещении светового пятна от измерительных контактов оно линейно меняется в структуре Fe3O4/SiO2/n-Si и экспоненциально затухает в структуре Fe3O4/SiO2/p-Si. Установлено, что инверсия полярности фотонапряжения при смене типа проводимости кремния обусловлена наличием интерфейсных состояний на границе раздела SiO2/Si. Обнаружено, что для обеих структур наблюдается экстремальная толщинная зависимость фотонапряжения с оптимальной толщиной пленки Fe3O4 ~ 50 nm. Работа частично поддержана Комплексной программой фундаментальных исследований ДВО РАН "Дальний Восток" 2018-2020 гг. N 18-3-022 (0226-18-0031).
- by 0pt plus 0.2pt
- J.T. Wallmark. Proc. IRE 45, 474 (1957)
- G. Lucovsky. J. Appl. Phys. 31, 1088 (1960)
- П.П. Коноров, Ю.А. Таранов. В сб.: Уч. записки ЛГУ 370, 17, 114. Сер. физ. Вопросы электроники твердого тела. Изд-во ЛГУ, Л. (1974)
- E. Fortunato, G. Lavareda, R. Martins, F. Soares, L. Fernandes. Sens. Actuat. A 51, 135 (1996)
- D.J.W. Noorlag. Lateral-photoeffect position-sensitive detectors. Delft University of Technology. Delft, The Netherlands (1982)
- J. Henry, J. Livingstone. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 12, 387 (2001)
- J. Henry, J. Livingstone. J. Phys. D 41, 165106 (2008)
- S.Q. Xiao, H. Wang, Z.C. Zhao, Y.Z. Gu, Y.X. Xia, Z.H. Wang. Opt. Express 16 6, 3798 (2008)
- C.Q. Yu, H. Wang, S.Q. Xiao, Y.X. Xia. Opt. Express 17, 24, 21712 (2009)
- S.H. Wang, W.X. Wang, L.K. Zou, X. Zhang, J.W. Cai, Z.G. Sun, B.G. Shen, J.R. Sun. Adv. Mater. 26, 8059 (2014)
- S.H. Wang, X. Zhang, L.K. Zou, J. Zhao, W.X. Wang, J.R. Sun. Chin. Phys. B 24, 107307 (2015)
- S.Q. Xiao, H. Wang, Y.X. Xia, J.J. Lu, Q.Y. Lin, Z.H. Wang. New J. Phys. 10, 033018 (2008)
- C. Yu, H. Wang. Sensors 10, 10155 (2010)
- L. Chi, P. Zhu, H. Wang, X. Huang, X. Li. J. Opt. 13, 015601 (2011)
- J.P. Cascales, I. Martinez, D. Diaz, J.A. Rodrigo, F.G. Aliev. Appl. Phys. Lett. 104, 231118 (2014)
- S. Liu, X. Xie, H. Wang. Opt. Express 22, 10, 11627 (2014)
- X. Wang, B. Song, M. Huo, Y. Song, Z. Lv, Y. Zhang, Y. Wang, Y. Song, J. Wen, Y. Sui, J. Tang. RSC Adv. 5, 65048 (2015)
- X. Huang, C. Mei, J. Hu, D. Zheng, Z. Gan, P. Zhou, H. Wang. IEEE Electron Device Lett. 37, 1018 (2016)
- M. Fonin, R. Pentcheva, Yu.S. Dedkov, M. Sperlich, D.V. Vyalikh, M. Scheffler, U. Rudiger, G. Guntherodt. Phys. Rev. B 72, 104436 (2005)
- V.A. Vikulov, A.A. Dimitriev, V.V. Balashev, T.A. Pisarenko, V.V. Korobtsov. Mater. Sci. Eng. B 211, 33 (2016)
- В.В. Балашев, В.А. Викулов, Т.А. Писаренко, В.В. Коробцов. ФТТ 57, 12, 2458 (2015). [V.V. Balashev, V.A.Vikulov, T.A. Pisarenko, V.V. Korobtsov. Phys. Solid State, 57, 12, 2532 (2015)]
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984) ч. 1
- О.В. Константинов, Б.В. Царенков. ФТП 24, 2126 (1990)
- H. Angermann. Appl. Surf. Sci. 312, 3 (2014)
- S. Jurecka, H. Kobayashi, M. Takahashi, T. Matsumoto, E. Pincik. Appl. Surf. Sci. 258, 8409 (2012)
- A.R. Deniz, Z. Сaldi ran, O. Metin, K. Meral, S. Aydogan. J. Colloid Interf. Sci. 473, 172 (2016)
- S. Ghosh, P.C. Srivastava. J. Electron. Mater. 43, 11, 4357 (2014)
- Z. Caldiran, A.R. Deniz, Y. Sahin, O. Metin, K. Meral, S. Aydogan. J. Alloy. Compd. 552, 437 (2013)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, М. (1963). Гл. 12, с. 309
- V.S. Vasilev, N.B. Velchev. Solid State Electron. 20, 999 (1977).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
