Вышедшие номера
Оптические спектры кристаллов GaSe и GaS различной толщины
Переводная версия: 10.1134/S1063783418060021
Агекян В.Ф.1, Серов А.Ю.1, Философов Н.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: v.agekyan@spbu.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Исследованы спектры пропускания кристаллов GaSe и GaS различной толщины, полученные методом механического расслаивания объемных кристаллов. В тонких образцах GaSe квантово-размерные сдвиги экситонных резонансов достигают 12 meV, что близко к величине энергии связи экситона. Высокоэнергетические межзонные переходы в GaSe и GaS наблюдаются около 3.4 и 3.7 eV соответственно.