Издателям
Вышедшие номера
Переход "квантовый эффект Холла--изолятор" в системе InAs/GaAs квантовых точек
Кульбачинский В.А.1, Лунин Р.А.1, Рогозин В.А.1, Голиков А.В.1, Кытин В.Г.1, Звонков Б.Н.1, Некоркин С.М.1, Филатов Д.О.1, де Виссер А.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Амстердамский университет, Институт Ван-дер-Ваальса--Зеемана, Амстердам, Нидерланды
Поступила в редакцию: 9 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Исследованы структуры InAs/GaAs со слоями квантовых точек, которые демонстрируют электронные свойства двумерных систем. При небольшой концентрации носителей тока при низких температурах наблюдается прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Длина локализации соответствует характерным размерам кластеров квантовых точек, полученным с помощью атомного силового микроскопа. В слоях квантовых точек с металлической проводимостью InAs/GaAs наблюдается переход "квантовый эффект Холла--изолятор", индуцированный магнитным полем. Значения удельного сопротивления при переходе превышают величины, полученные для электронов в гетероструктурах и квантовых ямах, что можно объяснить наличием купномасштабных флуктуаций потенциала и соответственно электронной плотности. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 00-02-17493, 01-02-16441). ACM-измерения выполнены в Научно-образовательном центре сканирующей зондовой микроскопии Нижегородского государственного университета при поддержке совместной Российско-американской программы Министерства образования РФ и Фонда гражданских исследований и развития США (CRDF) "Фундаментальные исследования и высшее образование" (BRHE), N гранта REC-001.
  1. S. Kivelson, D.-H. Lee, S.-C. Zhang. Phys. Rev. B 46, 2223 (1992)
  2. E. Shimshoni. Phys. Rev. B 60, 10, 691 (1999)
  3. G.H. Kim. J.T. Nicholls. S.I. Khondaker, I. Farrer, D.A. Ritchie. Phys. Rev. B 61, 10 910 (2000)
  4. H.W. Jiang, C.E. Johnson, K.L. Wang. Phys. Rev. B 46, 12 830 (1992)
  5. D. Shahar, D.C. Tsui, J.E. Cunninggham. Phys. Rev. B 52, R14372 (1995)
  6. T. Wang, K.P. Clark, G.F. Spencer, A.M. Mack, W.P. Kirk. Phys. Rev. Lett. 72, 709 (1994)
  7. M. Kitamura, M. Nishioka, J. Oshino, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett. 63, 439 (1996)
  8. В.Г. Талалаев, Б.В. Новиков, С.Ю. Вербин, А.Б. Новиков, Динь Шон Тхак, Г. Гобш, Р. Гольдхан, Н. Штейн, А. Голомбек, Г.Э. Цырлин, В.Н. Петров, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров. ФТП 34, 467 (2000)
  9. F. Schafer, J.P. Reithmaier, A. Forchel. Appl. Phys. Lett. 74, 2915 (1999)
  10. P. Recher, E.V. Sukhorukov, D. Loss. Phys. Rev. Lett. 85, 1962 (2000)
  11. I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, S.B. Levichev, A.V. Zdoroveishev, V.A. Perevoshnikov. Phys. Low-Dim. Struct. 3/4, 341 (2001)
  12. V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, I.G. Malkina, B.N. Zvonkov, Yu.N. Safyanov. Microelectronic Engineering 43--44, 107 (1998)
  13. В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин, А.В. Голиков, А.В. Демин, И.Г. Малкина, Б.Н. Звонков, Ю.Н. Сафьянов. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия 5, 53 (1998)
  14. V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, R.A. Lunin, A.V. Golikov, I.G. Malkina, B.N. Zvonkov, Yu.N. Safyanov. Physica B 266, 185 (1999)
  15. В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин, А.В. Голиков, А.В. Демин, И.Г. Малкина, Б.Н. Звонков, Ю.Н. Сафьянов. ФТП 33, 316 (1999)
  16. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников Наука, М. (1979). 416 с
  17. Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП 23, 1, 3 (1989)
  18. В.Н. Нгуен, Б.З. Спивак, Б.И. Шкловский. Письма в ЖЭТФ 41, 1, 35 (1985)
  19. M.E. Raikh. Solid State Commun. 75, 935 (1990)
  20. M. Hilke, D. Shahar, S.H. Song, D.C. Tsui, Y.H. Xie, Don Monroe. Nature 395, 675 (1998)
  21. H.L. Zhao, B.Z. Spivak, M.P. Gelfand. S. Feng. Phys. Rev. B 44, 10 760 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.