Издателям
Вышедшие номера
Тонкопленочные гетероструктуры InxAlyGa1-x-yAszSb1-z/GaSb, выращенные в поле температурного градиента
Переводная версия: 10.1134/S1063783418050177
Лунина М.Л.1, Лунин Л.С.1, Калинчук В.В.1, Казакова А.Е.1
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

Обсуждаются результаты выращивания тонкопленочных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAszSb1-z/GaSb из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства тонких пленок InAlGaAsSb выращенных на подложке GaSb. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда, грант N 14-19-01676.
  • P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors 48, 21 (2014)
  • H.Z. Song, M. Hadi, Y. Zheng, B. Shen, L. Zhang, Z. Ren, R. Gao, Z.M. Wang. Nanoscale Res. Lett. 12, 128 1 (2017)
  • S.E. Gulebaglan, E.K. Dogan, M. Aycibin, M. N. Secuk, B. Erdinc, H. Akkus. Cent. Eur. J. Phys. 11, 1680 (2013)
  • A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, A.S. Kurochkin, A.Yu. Egorov. Semiconductors 50, 1186 (2016)
  • D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, A.L. Stankevich, V.V. Shamakhov, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors 46, 1321 (2012)
  • V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, A.V. Lyutetskiy, K.V. Bakhvalov, M.G. Rastegaeva, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Semiconductors 48, 373 (2014)
  • F.Schattiger, D. Bauer, J. Demsar, T. Dekorsy, J. Kleinbauer, D.H. Sutter, J. Puustinen, M. Guina. Appl. Phys. B 106, 605 (2012)
  • V.D. Rumyantsev, A.V. Chekalin, D.A. Malevskiy, A.N. Panchak, N.A. Sadchikov, V.M. Andreev, N.Y. Davidyuk, A.L. Luque. IEEE J. Photovoltaics 5, 1715 (2015)
  • A. Luque, I. Ramiro, P. Garcia-Linares, E. Antolin, A. Marti, A. Panchak, A. Vlasov, V. Andreev, A. Mellor. IEEE J. Photovoltaics 5, 1074 (2015)
  • M.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, A. Luque. IEEE J. Photovoltaics 5, 1229 (2015)
  • R.V. Levin, A.E. Marichev, M.Z. Shvarts, E.P. Marukhina, V.P. Khvostikov, B.V. Pushnyi, V.M. Andreev, M.N. Mizerov. Semiconductors 49, 700 (2015)
  • М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный. ФТП 49, 682 (2015)
  • V. Khvostikov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, N. Potapovich, M. Shvarts, S. Sorokina, A. Luque, V. Andreev. AIP Conf. Proc. 1616, 21 (2014)
  • N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, A.S. Gudovskikh, A. Luque, V.M. Andreev. Int. J. Photoenergy 2014, 836284 1 (2014)
  • В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-. СКНЦВШ, Р/н/Д (2003). 375 с
  • Л.С. Лунин, А.В. Благин, Д.Л. Алфимова. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур. СКНЦВШ, Р/н/Д (2008). 212 с
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Сер. физ. 7, 41 (1989)
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Сер. физ. 7, 59 (1989)
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Неорган. материалы 25, 540 (1989)
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Неорган. материалы 25, 1778 (1989)
  • В.В. Кузнецов, П.П. Москвин, В.С. Сорокин. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. Металлургия, М. (1991). 176 с
  • В.В. Кузнецов, Е.А. Когновицкая, М.Л. Лунина, Э.Р. Рубцов. Журн. физ. химии 85, 2210 (2011)
  • Б.М. Синельников, М.Л. Лунина. Неорган. материалы 48, 995 (2012)
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин. Пятикомпонентные твердые растворы соединений (новые материалы оптоэлектроники). СКНЦ ВШ, Р/н/Д (1992). 193 с
  • Я. Аарик, Я. Бергманн, Л. Долгинов, Н. Лыук, М. Мильвидский, Я. Фридентал, К. Хансен, Т. Югова. Изв. АН ЭССР. Физ.-мат. 33, 1 (1984)
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. Металлургия, М. (1987). 232 с
  • Л.С. Лунин, И.А. Сысоев. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники. СКНЦ ВШ, Р/н/Д (2008). 160 c
  • Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина. Поверхность 6, 103 (2014)
  • А.В. Благин, Д.П. Валюхов, Л.С. Лунин. Неорган. материалы 44, 903 (2008)
  • Л.С. Лунин, В.В. Благин, А.А. Бараник. Неорган. материалы 38, 1423 (2002)
  • В.И. Буддо, В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, И.Е. Марончук. Микроэлектроника АН СССР 7, 70 (1978).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.