Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2018, выпуск 4 » Статья стр. 808
<<<>>>
Оценки констант электрон-фононной связи графена с металлическими и неметаллическими подложками
DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45698.267
Переводная версия: 10.1134/S1063783418040054
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
PDF версия
Рассмотрены два режима взаимодействия графен-подложка: слабая ван-дер-ваальсова связь и сильная ковалентная связь. В первом случае используется потенциал Леннарда-Джонса, во втором - метод связывающих орбиталей Харрисона. Для констант электрон-фононного взаимодействия получены аналитические выражения, содержащие только два параметра: энергию связи графена с подложкой EB и расстояние d между ними. Расчеты констант выполнены для металлических, полупроводниковых и диэлектрических подложек. DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45698.267
  1. J.-C. Charlier, P.C. Eklund, J. Zhu, A.C. Ferrari. In: Carbon nanotubes, topics appl. physics / Eds A. Jorio, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg, 2008. V. 111. P. 673--709
  2. L.M. Malard, M.A. Pimenta, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus. Phys. Rep. 473, 51 (2009)
  3. D. Yoon, H. Cheong. In: Raman spectroscopy for nanomaterials characterization / Ed. S.S.R. Kumar. Springer (2012). P. 191--214
  4. A.C. Ferrari, D.M. Basko. Nature Nanotechnol. 8, 235 (2013)
  5. A. Politano. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 42, 99 (2017)
  6. K.C. Haas. Phys. Rev. B 46, 150 (1992)
  7. C. Lobo, J.L. Martins. Z. Phys. D 39, 159 (1997)
  8. K. Ishikawa, T. Ando. J. Phys. Soc. (Jpn) 75, 084713 (2006)
  9. L.A. Falkovsky. ЖЭТФ 132, 446 (2007)
  10. Л.А. Фальковский. ЖЭТФ 142, 560 (2012)
  11. M. Mohr, J. Maultzsch, E. Dobardvzic, S. Reich, I. Milovsevic, M. Damnjanovic, A. Bosak, M. Krisch, C. Thomsen. Phys. Rev. B 76, 035439 (2007)
  12. S.V. Kusminskiy, D.K. Campbell, A.H. Castro Neto. Phys. Rev. B 80, 035401 (2009)
  13. T. Aizawa, R. Souda, Y. Ishizawa, H. Hirano, T. Yamada, K. Tanaka. Surf. Sci. 237, 194 (1990)
  14. С.Ю. Давыдов. ФТТ 59, 610 (2017)
  15. S. Ulstrup, M. Bianchi, R. Hatch, D. Guan, A. Baraldi, D. Alfe, L. Hornek r, P. Hofmann. Phys. Rev. B 86, 161402(R) (2012); erratum: Phys. Rev. B 93, 239901(E) (2016)
  16. M. Endlich, A. Molina-Sanchez, L. Wirtz, J. Kroger. Phys. Rev. B 88, 205403 (2013)
  17. J.C. Johannsen, S. Ulstrup, M. Bianchi, R. Hatch, D. Guan, F. Mazzola, L. Hornek r, F. Fromm, C. Raidel, T. Seyller, P. Hofmann. J. Phys.: Condens. Matter 25, 094001 (2013)
  18. T. Sohier. Electrons and phonons in graphene: electron-phonon coupling, screening and transport in the field effect setup; Physics [physics]. Universit\_e Pierre et Marie Curie --- Paris VI, 2015. English. <NNT: 2015PA066393>. <tel-01274687>
  19. С.Ю. Давыдов. ФТТ 55, 197 (2013)
  20. M. Vanin, J.J. Mortensen, A.K. Kelkkanen, J.M. Garcia-Lastra, K.S. Thygesen, K.W. Jacobsen. Phys. Rev. B 81, 081408(R) (2010)
  21. B. Busse, P. Lazic, R. Djemour, J. Coraux, T. Gerber, N. Atodiresei, V. Caciuc, R. Brako, A.T. N'Diaye, S. Blugel, J. Zegenhagen, T. Michely. Phys. Rev. Lett. 107, 036101 (2011)
  22. I. Hamada, M. Otani. Phys. Rev. B 82, 153412 (2010)
  23. J. S awinska, P. Dabrowski, I. Zasada. Phys. Rev. B 83, 245429 (2011)
  24. M. Kralj, I. Pletikosic, M. Petrovic, P. Pervan, M. Milun, A.T. N'Diaye, C. Busse, T. Michely, J. Fujii, I. Vobornik. Phys. Rev. B 84, 075427 (2011)
  25. A. Dahal, M. Batzill. Nanoscale 6, 2548 (2014)
  26. A. Al Taleb, D. Farias. J. Phys.: Condens. Matter 28, 103005 (2016)
  27. Z.H. Aitken, R. Huang. J. Appl. Phys. 107, 123531 (2010)
  28. K. Zhang, M. Arroyo. J. Appl. Phys. 113, 193501 (2013)
  29. С.Ю. Давыдов. ФТП, 52, 240 (2018)
  30. В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин. Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях. Изд-во УрО РАН, Екатеринбург (2004). 472 с
  31. S. Froyen. Phys. Rev. B 22, 3119 (1980)
  32. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ 57, 819 (2015)
  33. D. Maccariello, D. Campi, A. Al Taleb, G. Benedek, D. Farias, M. Bernasconi, R. Miranda. Carbon 93, 1 (2015)
  34. A. Allard, L. Wirtz. Nano Lett. 10, 4335 (2010)
  35. D. Fariasa, K.H. Rieder, A.M. Shikin, V.K. Adamchuk, T. Tanaka, C. Oshima. Surf. Sci. 454--456, 437 (2000)
  36. W.A. Harrison. Phys. Rev. B 74, 205101 (2006)
  37. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1983). 1, 382 с.; 2, 332 с
  38. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  39. S. Das, D. Lahiri, D.-Y. Lee, A. Agrawal, W. Choi. Carbon 59, 121 (2013)
  40. C. Berger, E.H. Conrad, W.A. de Heer. Epigraphene: epitaxial graphene on silicon carbide. arXive: 1704.00374
  41. G.H. Wells, T. Hopf, K.V. Vassilevski, E. Escobedo-Cousin, N.G. Wright, A.B. Horsfall, J.P. Goss, A.G. O'Neill, M.R.C. Hunt. Appl. Phys. Lett. 105, 193109 (2014)
  42. A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett. 99, 076802 (2007)
  43. F. Varchon, R. Feng, J. Hass, X. Li, B.N. Nguyen, C. Naud, P. Mallet, J.-Y. Veuillen, C. Berger, E.H. Conrad, L. Magaud. Phys. Rev. Lett. 99, 126805 (2007)
  44. B. Huang, H.J. Xiang, S.-H. Wei. Phys. Rev. B 83, 161405(R) (2011)
  45. С.Ю. Давыдов, Г.И. Сабирова. Письма в ЖТФ 37, 11, 51 (2011)
  46. G. Persson, U. Lindefelt. J. Appl. Phys. 82, 5496 (1997)
  47. J. Wang, D.C. Sorescu, S. Jeon, A. Belianinov, S.V. Kalinin, A.P. Baddorf, P. Maksymovych. Nature Commun. 7, 13263 (2016)
  48. Z. Zong, C.-L. Chen, M.R. Dokmeci, K-t. Wan. J. Appl. Phys. 107, 026104 (2010)
  49. R. Zhang, C. Zhang, H. Luan, W. Ji, P. Wang. RSC Adv. 5, 35377 (2015)
  50. W. Gao, P. Xiao, G. Henkelman, K.M. Liechti, R. Huang. J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 255301 (2014)
  51. K. Kamiya, N. Umezawa, S. Okada. Phys. Rev. B 83, 153413 (2011)
  52. B. Sachs, T.O. Wehling, M.I. Katsnelson, A.I. Lichtenstein. Phys. Rev. B 84, 195414 (2011)
  53. W. Zhou, Y. Liu, Y. Yang, P. Wu. J. Phys. Chem. C 118, 6448 (2014)
  54. С.С. Некрашевич, В.А. Гриценко. ФТТ 56, 209 (2014)
  55. J.C. Garcia, A.T. Lino, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite, V.N. Freire, G.A. Farias, E.F. da Silva jr. 27th Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors ICPS-27. AIP Conference Proceedings 772, 189 (2005)
  56. Y.-N. Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B 44, 7787 (1991)
  57. С.Ю. Давыдов. Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов. Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, СПб. (2013). 235 с.; twirpx.com/file/1596114/
  58. Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел. Наука, М. (1967). Гл. 18
  59. С.Ю. Давыдов. ФТП 46, 204 (2012)
  60. W.A. Harrison, G.K. Straub. Phys. Rev. B 36, 2695 (1987)
  61. W.A. Harrison. Phys. Rev. B 31, 2121 (1985).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme