Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР
Переводная версия: 10.1134/S1063783418040121 
Ильин И.В.1, Успенская Ю.А.1, Крамущенко Д.Д.1, Музафарова М.В.1, Солтамов В.А.1, Мохов Е.Н.1, Баранов П.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: pavel.baranov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
Приведены результаты исследований акцепторов III группы (B, Al, Ga) в кристаллах карбида кремния с использованием наиболее информативных методов электронного парамагнитного резонанса и двойного электронно-ядерного резонанса и рассмотрены структурные модели акцепторов с мелкими уровнями и с глубокими уровнями. Наряду с данными, полученными ранее, добавлены исследования с использованием высокочастотных методов магнитного резонанса, позволивших обнаружить орторомбические отклонения от аксиальной симметрии для глубоких акцепторов, и проведен теоретический анализ, объясняющий наблюдаемые в экспериментах сдвиги g-факторов для глубоких акцепторов, обусловленные появлением орторомбических искажений, вероятно, вследствие наличия эффекта Яна-Теллера. DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45670.211
- G. Pensl, R. Helbig, Festkoerperprobleme: Adv. Solid State Phys., 30 / Ed. U. Roessler. Vieweg, Braunschweig (1990). P. 133 and references therein
- Г.А. Ломакин. ФТТ 7, 600 (1965)
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП 19, 69 (1985)
- H. Kuwabara, S. Yamada. Phys. Status Solidi A 30, 739 (1975)
- M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B 22, 2842 (1980)
- W. Suttrop, G. Pensl, P. Laning, Appl. Phys. A 51, 231 (1990)
- В.С. Балландович, Е.Н. Мохов. ФТП 29, 370 (1995)
- M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Lumin. 20, 111 (1979)
- H.H. Woodbury, G.W. Ludwig. Phys. Rev. 124, 1083 (1961)
- А.Г. Зубатов, И.М. Зарицкий, С.Н. Лукин, Е.Н. Мохов, В.Г. Степанов. ФТТ 27, 322 (1985)
- K. Maier, J. Schneider, W.Wilkening, S. Leibenzeder, R. Stein. Mater. Sci. Eng. B 11, 27 (1992)
- Н.П. Баран, В.Я. Братусь, А.А. Бугай, В.С. Сихнин, А.А. Климов, В.М. Максименко, Т.Л. Петренко, В.В. Романенко. ФТТ 35, 3135 (1993) и ссылки в ней
- P.G. Baranov, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 9, 1340 (1994)
- P.G. Baranov, E.N. Mokhov, Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 293 (1996)
- P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 11, 489 (1996)
- P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Communic. 100, 371 (1996)
- П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ 38, 1446 (1996)
- K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 32, 2273 (1985)
- П.Г. Баранов, В.А. Ветров, Н.Г. Романов, В.И. Соколов. ФТТ 27, 3459 (1985)
- P.G. Baranov, N.G. Romanov. Appl. Magn. Reson. 2, 361 (1991)
- P.G. Baranov, N.G. Romanov. Mater. Sci. Forum 83-87, 1207 (1992)
- P.G. Baranov. Defect and Diffusion Forum 148-149, 129 (1997)
- T. Matsumoto, O.G. Poluektov, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Phys. Rev. B 55, 2219 (1997)
- A.V. van Duijn-Arnold, T. Ikoma, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, J. Schmidt. Phys. Rev. B, 57, 1607 (1998)
- A. van Duijn-Arnold, J. Mol, R. Verberk, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Phys. Rev. B 60, 15829 (1999)
- Т.Л. Петренко, В.В. Тесленко, Е.Н. Мохов. ФТП 26, 1556 (1992)
- T.L. Petrenko, A.A. Bugai, V.G. Baryakhtar, V.V. Teslenko, V.D. Khavryutchenko. Semicond. Sci. Technol. 9, 1849 (1994)
- R. Muller, M. Feege, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Semicond. Sci. Technol. 8, 1377 (1993)
- J. Reinke, R. Muller, M. Feege, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Mater. Sci. Forum 143-147, 63 (1994)
- J. Reinke, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. (UK) 137, 211 (1994)
- F.J. Adrian, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Solid State Comm., 94, 41 (1995)
- Н.Г. Романов, В.А. Ветров, П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. Письма в ЖТФ 11, 1168 (1985)
- P.G. Baranov, N.G. Romanov, V.A. Vetrov, V.G. Oding. Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors / Ed. E.M. Anastassakis, J.D. Joannopoulos. World Scientific, Dingapore (1990). V. 3. P. 1855
- П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов, А. Хофштеттер, А. Шарманн. Письма в ЖЭТФ 63, 803 (1996)
- B.K. Meyer, A. Hofstaetter, P.G. Baranov. Mater. Sci. Forum Vols 264-268, 591 (1998)
- J.R. Morton, K.F. Preston. J. Magn. Reson. 30, 577 (1978)
- A. van Duijn-Arnold, J. Schmidt, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Phys. Rev. B, 60, 15799 (1999)
- G. Bachelet, G.A. Baraff, M. Schulter, Phys. Rev. B 24, 4736 (1981)
- S.T. Pantelides, W.A. Harrison, F. Yndurain. Phys. Rev. B 34, 6038 (1986)
- H.B. Gray. Electrons and Chemical Bonding, W.A. Benjamin INC, N. Y.-Amsterdam (1965). 244 p
- G.D. Watkins. Phys. Rev. 155, 802 (1967)
- M. Maiwald, 0.F. Schirmer. Europhys. Lett. 64, 776 (2003)
- Le Si Dang, R.M. Lee, G.D. Watkins. Phys. Rev. Lett. 45, 390 (1980)
- J.F. Scott, D.J. Toms, Le Si Dang, Р.М. Lee, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. B 23, 2029 (1981)
- G.W. Ludwig, H.H. Woodbury. In: Solid State Physics. Vol. 13 / Ed. F. Seitz, D. Turnbull. Academic Press. N. Y. (1962). P. 233
- G. Feher, J.C. Hensel, E.A. Gere. Phys. Rev. Lett. 5, 309 (1960).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
