Вышедшие номера
Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллы триглицинсульфата
Левин М.Н.1, Постников В.В.2, Палагин М.Ю.3, Косцов А.М.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Воронежская государственная лесотехническая академия, Воронеж, Россия
3Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
Email: levin@lev.vsu.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Вперые обнаружено влияние слабых (=<0.02 T) импульсных магнитных полей на сегнетоэлектрические и диэлектрические характеристики номинально чистых кристаллов триглицинсульфата. После кратковременного (секунды) импульсного магнитного воздействия наблюдались долговременные (сотни часов) изменения коэрцитивного поля, температурных зависимостей диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и времени релаксации диэлектрической проницаемости вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. Предполагается, что обнаруженные эффекты обусловлены откреплением доменных стенок и дислокаций от стопоров с последующим формированием новых дефектной и доменной структур.