Эффект большого положительного магнитосопротивления в слабых магнитных полях в металл-диэлектрических нанокомпозитах
Варфоломеев А.Е.1, Седова М.В.2
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Институт проблем прикладной электродинамики Российской академии наук, Москва, Россия
Email: varfol@imp.kiae.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.
При исследовании магнитоспротивления гранулированных пленок Fe / SiO2 в области составов, соответствующих диэлектрическому поведению проводимости образцов, обнаружен эффект большого положительного магнитосопротивления. Положительное магнитосопротивление достигает величины 10% в магнитных полях ~100 Oe при комнатной температуре и характеризуется медленными временами отклика (~2 min) на ступенчатое изменение магнитного поля. Природа эффекта, по-видимому, связана с влиянием на магнитосопротивление ферромагнитных кластерных образований из наночастиц железа.
- J.L. Gittleman, Y. Goldstein, S. Bozovski. Phys. Rev. B 5, 3609 (1972)
- A. Milner, A. Gerber, B. Groisman, M. Karpovsky, A. Gladkikh. Phys. Rev. Lett. 76, 475 (1996)
- Б.А. Аронзон, А.Е. Варфоломеев, Д.Ю. Ковалев, А.А. Ликальтер, В.В. Рыльков, А.К. Сарычев, М.В. Седова. ФТТ 41, 6, 944 (1999)
- G.N. Kakazei, A.F. Kravets, N.A. Lesnik, M.M. Azevedo, Y.G. Pogorelov, J.B. Sousa. J. Appl. Phys. 85, 8 5654 (1999)
- J.G. Lin, C.Y. Huang, H. Sang, Y.W. Du, X. Yan. IEEE Trans. Magn. 34, 375 (1998)
- С.В. Тябликов. Методы квантовой теории магнетизма. Наука, М. (1975). 527 с
- J. Inoue, S. Maekawa. Phys. Rev. B 53, 18, 927 (1996)
- J.S. Helman, B. Abeles. Phys. Rev. Lett. 37, 21, 1429 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.