Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние кристаллической структуры на электрические свойства тонкопленочных PZT структур
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030058 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: ladel@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
В работе предложен и реализован новый метод двустадийной кристаллизации пленок цирконата-титаната свинца (PZT) с использованием затравочного подслоя с низким содержанием избыточного свинца. Из растворов с избытком свинца 0-5 wt% формируют затравочный слой с сильной текстурой зерен перовскита Pe (111), быстрый рост которых обеспечивается нанесением основной пленки из растворов с высоким содержанием свинца. В результате в пленках формируется сильная Pe (111) текстура с полным подавлением ориентации Pe (100). Анализ вольт-амперных зависимостей переходных токов и распределений локальной проводимости, измеренных методом контактной АСМ, выявил два различных механизма протекания токов, определяемыx ловушками в объеме и на границах раздела перовскитных зерен. Работа поддержана программой Минобрнауки РФ N 11.2259.2017/ПЧ (АС), грантом РФФИ N 16-02-00845 а (КВ, ДС). DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45560.269
- N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox, S. Gevorgian, S. Hong, A. Kingon, H. Kohlstedt, N.Y. Park, G.B. Stephenson, I. Stolitchnov, A.K. Taganstev, D.V. Taylor, T. Yamada, S. Streiffer. J. Appl. Phys. 100, 051606 (2006)
- N. Izyumskaya, Y-I. Alivov, S.-J. Cho, H. Morko c, H. Lee, Y.-S. Kang. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 32, 111 (2007)
- C.B. Eom, S. Trolier-McKinstry. MRS Bulletin 37, 1007 (2012)
- J.F. Scott. Science 315, 954 (2007)
- К.А. Воротилов, А.С. Сигов. ФТТ 54, 843 (2012)
- J.C. Park, S. Khym, J.Y. Park. Appl. Phys. Lett. 102, 043901 (2013)
- R.W. Whatmore. J. Electroceram. 13, 139 (2004)
- M. Melo, E.B. Araujo, V.V. Shvartsmann, V.Ya. Shur, A.L. Kholkin. J. Appl. Phys. 120, 054101 (2016)
- К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / Под ред. А.С. Сигова. Энергоатомиздат, M. (2011). 175 c
- Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / Под ред. К.М. Рабе, Ч.Г. Ана, Ж.-М. Трискона. Пер. с англ. БИНОМ. Лаборатория знаний, М. (2011). 440 с
- Robert W. Schwartz. Chem. Mater. 9, 2325 (1997)
- S.-Y. Chen, I.W. Chen. Am. Ceram. Soc. 77, 2332 (1994)
- K. Vorotilov, A. Sigov, D. Seregin, Yu. Podgorny, O. Zhigalina, D. Khmelenin. Phase Transit. 86, 1152 (2013)
- M.I. Yanovskaya, I.E. Obvintseva, L.I. Solovyova, E.P. Kovsman, K.A. Vorotilov, V.A. Vasilyev. Integr. Ferroelectr. 19, 193 (1998)
- S. Hiboux, P. Muralt. J. Eur. Ceram. Soc. 24, 1593 (2004)
- Rong Lei, Yan-Bo Ren, Xiao-Tong Liu, Li-Jie Qiao, Zhen-Xing Yue, Dan Xie, Jiang-Li Cao. Ferroelectrics 402, 43 (2010)
- Jian Zhong, Sushma Kotru, Hui Han, J. Jackson, Raghvendra, K. Pandey. Integr. Ferroelectr. 130, 1 (2011)
- A.S. Sigov, K.A. Vorotilov, O.M. Zhigalina. Ferroelectrics 433, 146 (2012)
- N.M. Kotova, K.A. Vorotilov, D.S. Seregin, A.S. Sigov. Inorg. Mater. 50, 612 (2014)
- Л.А. Делимова, E.В. Гущина, В.С. Юферев, И.В. Грехов. ФТТ 56, 2366 (2014)
- L.A. Delimova, E.V. Guschina, D.S. Seregin, K.A. Vorotilov, A.S. Sigov. J. Appl. Phys. 121, 224104 (2017)
- J.K. Lee, J.-M. Ku, C.-R. Cho, Y.K. Lee, S. Shin, Y. Park. J. Semicond. Technol. Sci. 2, 205 (2002)
- В.П. Пронин, С.В. Сенкевич, Е.Ю. Каптелов, И.П. Пронин. ФТТ 55, 92 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
