Вышедшие номера
Влияние кристаллической структуры на электрические свойства тонкопленочных PZT структур
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030058
Делимова Л.А.1, Гущина Е.В.1, Зайцева Н.В.1, Серегин Д.С.2, Воротилов К.А.2, Сигов А.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: ladel@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

В работе предложен и реализован новый метод двустадийной кристаллизации пленок цирконата-титаната свинца (PZT) с использованием затравочного подслоя с низким содержанием избыточного свинца. Из растворов с избытком свинца 0-5 wt% формируют затравочный слой с сильной текстурой зерен перовскита Pe (111), быстрый рост которых обеспечивается нанесением основной пленки из растворов с высоким содержанием свинца. В результате в пленках формируется сильная Pe (111) текстура с полным подавлением ориентации Pe (100). Анализ вольт-амперных зависимостей переходных токов и распределений локальной проводимости, измеренных методом контактной АСМ, выявил два различных механизма протекания токов, определяемыx ловушками в объеме и на границах раздела перовскитных зерен. Работа поддержана программой Минобрнауки РФ N 11.2259.2017/ПЧ (АС), грантом РФФИ N 16-02-00845 а (КВ, ДС). DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45560.269
  1. N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox, S. Gevorgian, S. Hong, A. Kingon, H. Kohlstedt, N.Y. Park, G.B. Stephenson, I. Stolitchnov, A.K. Taganstev, D.V. Taylor, T. Yamada, S. Streiffer. J. Appl. Phys. 100, 051606 (2006)
  2. N. Izyumskaya, Y-I. Alivov, S.-J. Cho, H. Morko c, H. Lee, Y.-S. Kang. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 32, 111 (2007)
  3. C.B. Eom, S. Trolier-McKinstry. MRS Bulletin 37, 1007 (2012)
  4. J.F. Scott. Science 315, 954 (2007)
  5. К.А. Воротилов, А.С. Сигов. ФТТ 54, 843 (2012)
  6. J.C. Park, S. Khym, J.Y. Park. Appl. Phys. Lett. 102, 043901 (2013)
  7. R.W. Whatmore. J. Electroceram. 13, 139 (2004)
  8. M. Melo, E.B. Araujo, V.V. Shvartsmann, V.Ya. Shur, A.L. Kholkin. J. Appl. Phys. 120, 054101 (2016)
  9. К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / Под ред. А.С. Сигова. Энергоатомиздат, M. (2011). 175 c
  10. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / Под ред. К.М. Рабе, Ч.Г. Ана, Ж.-М. Трискона. Пер. с англ. БИНОМ. Лаборатория знаний, М. (2011). 440 с
  11. Robert W. Schwartz. Chem. Mater. 9, 2325 (1997)
  12. S.-Y. Chen, I.W. Chen. Am. Ceram. Soc. 77, 2332 (1994)
  13. K. Vorotilov, A. Sigov, D. Seregin, Yu. Podgorny, O. Zhigalina, D. Khmelenin. Phase Transit. 86, 1152 (2013)
  14. M.I. Yanovskaya, I.E. Obvintseva, L.I. Solovyova, E.P. Kovsman, K.A. Vorotilov, V.A. Vasilyev. Integr. Ferroelectr. 19, 193 (1998)
  15. S. Hiboux, P. Muralt. J. Eur. Ceram. Soc. 24, 1593 (2004)
  16. Rong Lei, Yan-Bo Ren, Xiao-Tong Liu, Li-Jie Qiao, Zhen-Xing Yue, Dan Xie, Jiang-Li Cao. Ferroelectrics 402, 43 (2010)
  17. Jian Zhong, Sushma Kotru, Hui Han, J. Jackson, Raghvendra, K. Pandey. Integr. Ferroelectr. 130, 1 (2011)
  18. A.S. Sigov, K.A. Vorotilov, O.M. Zhigalina. Ferroelectrics 433, 146 (2012)
  19. N.M. Kotova, K.A. Vorotilov, D.S. Seregin, A.S. Sigov. Inorg. Mater. 50, 612 (2014)
  20. Л.А. Делимова, E.В. Гущина, В.С. Юферев, И.В. Грехов. ФТТ 56, 2366 (2014)
  21. L.A. Delimova, E.V. Guschina, D.S. Seregin, K.A. Vorotilov, A.S. Sigov. J. Appl. Phys. 121, 224104 (2017)
  22. J.K. Lee, J.-M. Ku, C.-R. Cho, Y.K. Lee, S. Shin, Y. Park. J. Semicond. Technol. Sci. 2, 205 (2002)
  23. В.П. Пронин, С.В. Сенкевич, Е.Ю. Каптелов, И.П. Пронин. ФТТ 55, 92 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.