Вышедшие номера
Тонкая структура уровней и пьезоспектроскопия A+-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Переводная версия: 10.1134/S106378341802018X
Петров П.В.1, Кокурин И.А.1,2, Иванов Ю.Л.1, Цырлин Г.Э.3,4, Седов В.Е.1, Аверкиев Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: pavel.petrov@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Представлено экспериментальное и теоретическое пьезоспектроскопическое исследование A+-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs легированных бериллием. Экспериментально исследованы спектры линейно поляризованной фотолюминесценции в зависимости от приложенного одноосного давления. Построена модель A+-центра в квантовой яме в присутствии одноосной деформации в плоскости квантовой ямы. Получены аналитические выражения для энергии уровней, интенсивностей оптических переходов и поляризационного отношения. В рамках предложенной теории объясняется наблюдаемое в эксперименте изменение поляризационного отношения в зависимости от давления, а также сдвиг максимума линии в коротковолновую сторону. Работа частично поддержана проектами РНФ: теоретические расчеты выполнены в рамках проекта 17-12-01182 (И.А.К), обсуждения и сравнение с экспериментальными данными - проект 14-42-00015 (Н.С.А). DOI: 10.21883/FTT.2018.02.45389.212