Вышедшие номера
Особенности сегнетоэлектрического состояния в двухслойных гетероструктурах на основе титаната бария-стронция
Переводная версия: 10.1134/S1063783418010250
РФФИ , 16-29-1403 офи-м
Стрюков Д.В. 1, Мухортов В.М. 1, Головко Ю.И. 1, Бирюков С.В. 1
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: strdl@mail.ru, mukhortov1944@mail.ru, urgol@rambler.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Исследованы структурные свойства однослойных и двухслойных гетероструктур на основе пленок титаната бария-стронция различного состава, осаженных по механизму Франка-Ван дер Мерве на подложку оксида магния. Гетероструктуры созданы ВЧ-распылением стехиометрических керамических мишеней в распылительной системе "Плазма 50 СЭ". Принципиальное отличие данного способа осаждения от известных аналогов состоит в том, что рост монокристаллических пленок происходит из дисперсной фазы оксида, образующейся в плазме сильноточного высокочастотного разряда при распылении керамической мишени на кластерном уровне. Установлены особенности проявления сегнетоэлектрического состояния в двухслойных гетероструктурах при изменении порядка следования пленок с различным составом титаната бария-стронция. Исследование выполнено в рамках реализации Государственного задания на 2017 г. (проект N 0120-1354-247), а также при поддержке РФФИ (грант N 16-29-14013). DOI: 10.21883/FTT.2018.01.45297.186
  1. S. Corkovic, Q. Zhanga. J. Appl. Phys. 105, 061610 (2009)
  2. M.W. Cole, E. Ngo, C. Hubbard, S.G. Hirsch, M. Ivill, W.L. Sarney, J. Zhang, S.P. Alpay. J. Appl. Phys. 114, 164107 (2013)
  3. Y. Lin, C.L. Chen. J. Mater. Sci. 44, 5274 (2009)
  4. H.N. Lee, H.M. Christen, M.F. Chisholm, C.M. Rouleau, D.H. Lowndes. Nature. 433, 395 (2005)
  5. M. Tyunina, I. Jaakola, M. Plekh, J. Levoska. J. Electroceram 24, 15 (2010)
  6. M. Liu, C. Ma, G. Collins, J. Liu, C. Chen, A.D. Alemayehu, G. Subramanyam, Y. Ding, J. Chen, C. Dai, Y.L. Me W Cole. Nanoscale Res. Lett. 8, 338 (2013)
  7. B.D. Qu, M. Evstigneev, D.J. Johnson, R.H Prince. Appl Phys. Lett. 72, 1394 (1998)
  8. B. Misirlioglu, G. Akcay, S. Zhong, S.P. Alpay. J. Appl. Phys. 101, 036107 (2007)
  9. T.Q. Ngo, A.B. Posadas, M.D. McDaniel, C. Hu, J. Bruley, E.T. Yu, A.A. Demkov, J.G. Ekerdt. Appl. Phys. Lett. 104, 082910 (2014)
  10. I. Jaakolaa, J. Levoska, M. Tyunina. Ferroelectrics 335, 127 (2006)
  11. F. Xue, J.J. Wang, G. Sheng, E. Huang, Y. Cao, H.H. Huang, P. Munroe, R. Mahjoub, Y.L. Li, V. Nagarajan, L.Q. Chen. Acta Mater. 61, 2909 (2013)
  12. J.H. Haeni, P. Irvin, W. Chang, R. Uecker, P. Reiche, Y.L. Li, S. Choudhury, W. Tian, M.E. Hawley, B. Craigo, A.K. Tagantsev, X.Q. Pan, S.K. Streiffer, L.Q. Chen, S.W. Kirchoefer, J. Levy, D.G. Schlom. Nature 430, 758 (2004)
  13. J. Wang, J.B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S.B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D.G. Schlom, U.V. Waghmare, N.A. Spaldin, K.M. Rabe, M. Wuttig, R. Ramesh. Science 299, 171 (2003)
  14. В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, С.В. Бирюков, А.С. Анохин, Ю.И. Юзюк. ЖТФ 86, 93 (2016)
  15. В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. ЮНЦ РАН, Ростов н/Д (2008). 224 с
  16. V.M. Mukhortov, Yu.I. Golovko, P.A. Zelenchuk, Yu.I. Yuzyuk. Integrated Ferroelectrics 107, 83 (2009)
  17. В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, А.А. Маматов, О.М. Жигалина, А.Н. Кускова. ЖТФ 80, 77 (2010)
  18. В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, С.В. Бирюков, А.С. Анохин, Ю.И. Юзюк. ЖТФ 86, 93 (2016)
  19. Ю.И. Головко, В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк, Р.Е. Janolin, В. Dkhil. ФТТ 50, 467 (2008)
  20. P.-E. Janolin, A.S. Anokhin, Z. Gui, V.M. Mukhortov, Yu.I. Golovko, N. Guiblin, S. Ravy, M.El. Marssi, Yu.I. Yuzyuk, L. Bellaiche, B. Dkhil. J. Phys.: Condens. Matter 26, 292201 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.