Доменный эпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире
Тумаркин А.В.1, Одинец А.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: avtumarkin@yandex.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
Представлена модель эпитаксиального роста кристаллических многокомпонентных пленок на монокристаллических подложках с доменным соответствием на примере твердого раствора титаната бария-стронция на подложках сапфира (r-срез). Доменный эпитаксиальный рост предполагает согласование плоскостей решетки пленки и подложки, имеющих схожую структуру, путем сопоставления доменов, кратных целому числу межплоскостных расстояний. Варьирование компонентного состава твердого раствора позволяет изменять размер домена в диапазоне, достаточном для снижения рассогласования решеток титаната бария-стронция и сапфира до значения, достаточного для эпитаксиального роста. Таким образом может быть спроектирован эпитаксиальный рост пленок различных твердых растворов на монокристаллических подложках. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ в рамках проектов N 16-29-05147 офи_м, 16-07-00617 А, 16-08-00808 А и Минобрнауки России (государственное задание N 3.3990.2017/4.6). Моделирование выполнено при поддержке гранта УМНИК" - N10404ГУ/2015. DOI: 10.21883/FTT.2018.01.45293.200
- P. Bao, T.J. Jackson, X. Wang, M.J. Lancaster. J. Phys. D 41, 063001 (2008)
- T. Konaka, M. Sato, H. Asano, S. Kubo. J. Supercond. 4, 283 (1991)
- Е. Добровинская, Л. Литвинов, В. Пищак. Энциклопедия сапфира. Институт монокристаллов, Харьков (2004). 508 с
- В.В. Афросимов, Р.Н. Ильин, С.Ф. Карманенко, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков. ФТТ 45, 1070 (2003)
- R. Bouregba, N. Sama, C. Soyer, G. Poullain, D. Remiens. J. Appl. Phys. 107, 104102 (2010)
- V.V. Lemanov, B.M. Goltsman, V.K. Yarmarkin, Y.A. Boikov. Ferroelectrics 286, 251 (2003)
- А.K. Tagantsev, V.O. Sherman, K.F. Astafiev, J. Venkatesh, N. Setter. J. Electroceram. 11, (2003)
- J. Narayana, B.C. Larson. J. Appl. Phys. 93, 278 (2003)
- P.S. Krishnaprasad, A. Aldrin, F. Rojas, M.K. Jayaraj. J. Appl. Phys. 117, 124102 (2015)
- Л.С. Палатник, И.И. Папиров. Ориентированная кристаллизация. Металлургия, М. (1964). 408 с
- А.В. Тумаркин, Е.Р. Тепина, Е.А. Ненашева, Н.Ф. Картенко, А.Б. Козырев. ЖТФ 82, 53 (2012)
- А.В. Тумаркин, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.В. Анкудинов, А.А. Одинец. ФТТ 57, 796 (2015)
- А.В. Тумаркин, В.И. Альмяшев, С.В. Разумов, М.М. Гайдуков, А.Г. Гагарин, А.Г. Алтынников, А.Б. Козырев. ФТТ 57, 540 (2015)
- С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). Наука, СПб. (1996). 304 с
- А.В. Коропов, П.Н. Остапчук, В.В. Слезов. ФТТ 33, 2835 (1991)
- А.В. Коропов, В.В. Сагалович. Поверхность. Физика, химия, механика 17 (1990)
- S.A. Kukushkin. Thin Solid Films 207, 302 (1992).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
