Издателям
Вышедшие номера
Доменный эпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире
Переводная версия: 10.1134/S1063783418010274
Тумаркин А.В.1, Одинец А.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: avtumarkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Представлена модель эпитаксиального роста кристаллических многокомпонентных пленок на монокристаллических подложках с доменным соответствием на примере твердого раствора титаната бария-стронция на подложках сапфира (r-срез). Доменный эпитаксиальный рост предполагает согласование плоскостей решетки пленки и подложки, имеющих схожую структуру, путем сопоставления доменов, кратных целому числу межплоскостных расстояний. Варьирование компонентного состава твердого раствора позволяет изменять размер домена в диапазоне, достаточном для снижения рассогласования решеток титаната бария-стронция и сапфира до значения, достаточного для эпитаксиального роста. Таким образом может быть спроектирован эпитаксиальный рост пленок различных твердых растворов на монокристаллических подложках. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ в рамках проектов N 16-29-05147 офи_м, 16-07-00617 А, 16-08-00808 А и Минобрнауки России (государственное задание N 3.3990.2017/4.6). Моделирование выполнено при поддержке гранта УМНИК" --- N10404ГУ/2015. DOI: 10.21883/FTT.2018.01.45293.200
  1. P. Bao, T.J. Jackson, X. Wang, M.J. Lancaster. J. Phys. D 41, 063001 (2008)
  2. T. Konaka, M. Sato, H. Asano, S. Kubo. J. Supercond. 4, 283 (1991)
  3. Е. Добровинская, Л. Литвинов, В. Пищак. Энциклопедия сапфира. Институт монокристаллов, Харьков (2004). 508 с
  4. В.В. Афросимов, Р.Н. Ильин, С.Ф. Карманенко, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков. ФТТ 45, 1070 (2003)
  5. R. Bouregba, N. Sama, C. Soyer, G. Poullain, D. Remiens. J. Appl. Phys. 107, 104102 (2010)
  6. V.V. Lemanov, B.M. Goltsman, V.K. Yarmarkin, Y.A. Boikov. Ferroelectrics 286, 251 (2003)
  7. А.K. Tagantsev, V.O. Sherman, K.F. Astafiev, J. Venkatesh, N. Setter. J. Electroceram. 11, (2003)
  8. J. Narayana, B.C. Larson. J. Appl. Phys. 93, 278 (2003)
  9. P.S. Krishnaprasad, A. Aldrin, F. Rojas, M.K. Jayaraj. J. Appl. Phys. 117, 124102 (2015)
  10. Л.С. Палатник, И.И. Папиров. Ориентированная кристаллизация. Металлургия, М. (1964). 408 с
  11. А.В. Тумаркин, Е.Р. Тепина, Е.А. Ненашева, Н.Ф. Картенко, А.Б. Козырев. ЖТФ 82, 53 (2012)
  12. А.В. Тумаркин, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.В. Анкудинов, А.А. Одинец. ФТТ 57, 796 (2015)
  13. А.В. Тумаркин, В.И. Альмяшев, С.В. Разумов, М.М. Гайдуков, А.Г. Гагарин, А.Г. Алтынников, А.Б. Козырев. ФТТ 57, 540 (2015)
  14. С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). Наука, СПб. (1996). 304 с
  15. А.В. Коропов, П.Н. Остапчук, В.В. Слезов. ФТТ 33, 2835 (1991)
  16. А.В. Коропов, В.В. Сагалович. Поверхность. Физика, химия, механика 17 (1990)
  17. S.A. Kukushkin. Thin Solid Films 207, 302 (1992).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.