Вышедшие номера
Взаимодействие атомов сурьмы с микропорами в кремнии
Переводная версия: 10.1134/S1063783418010158
Оджаев В.Б.1, Петлицкий А.Н.2, Плебанович В.И.3, Садовский П.К.1, Тарасик М.И.1, Челядинский А.Р.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2ОАО Интеграл", Минск, Беларусь
3ОАО ПЛАНАР", Минск, Беларусь
Email: chelyadinski@bsu.by
Поступила в редакцию: 11 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Исследовано взаимодействие атомов Sb с микропорами геттерного слоя в кремнии. Геттерный слой создавался путем имплантации в кремний ионов Sb+ и последующих термообработок. Обнаружено, что атомы сурьмы, расположенные в окрестности микропор, захватываются на микропоры в процессе геттерирующего отжига и теряют электрическую активность. Энергия активации процесса захвата сурьмы на поры ниже энергии активации диффузии сурьмы в кремнии. Это объясняется влиянием на процесс диффузии полей упругих деформаций вокруг микропустот. DOI: 10.21883/FTT.2018.01.45283.123
  1. D. Macdonald, A.Y. Linand, S.P. Phang. Mater. In: Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV. Oxford, UK. (2013). P. 26
  2. A. Kinomura, R. Suzuki, T. Ohdaira, M. Muramatsu, C. He, N. Oshima, T. Matsumoto, H. Tanoue, Y. Horino. J. Appl. Phys. 104, 034301 (2008)
  3. S.E. Donnelly, V.M. Vishnyakov, G. Carter, J. Terry, L.I. Haworth, P. Sermannic, R.C. Birtcher. Mater. Sci. Eng. B 206, 422 (2003)
  4. П.К. Садовский, А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев, М.И. Тарасик, А.С. Турцевич, Ю.Б. Васильев. ФТТ 55, 1071 (2013)
  5. L.J. Van der Pauw. Philips Res. Rep. 13, 1 (1958)
  6. А.В. Бураков, С.Н. Якубеня, А.М. Янченко. ПТЭ 4, 226 (1986)
  7. F.A. Trumbore. Bell. Syst. Tech. J. 39, 205 (1960)
  8. Atomic diffusion in Semiconductors / Ed. D. Shaw. Plenum Press, London-N. Y. (1973)
  9. К. Пирс, А. Адамс, Л. Кац, Дж. Цай, Т. Сейдел, Д. Макгиллис. Технология СБИС. Т. 1. Мир, М. (1986). С. 40
  10. F. Roqueta, D. Alquier, L. Ventura, Ch. Dubois, R. Jerisian. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 183, 318 (2001)
  11. J. Wong-Leung, J.S. Williams, M. Petravic. Appl. Phys. Lett. 72, 2418 (1998)
  12. М. Джадан, А.Р. Челядинский, В.Ю. Явид. Микроэлектроника 41, 2, 98 (2012)
  13. T. Akiyama, Y. Okamoto, M. Saito, A. Oshiyama. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 1363 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.