Вышедшие номера
Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH3NH3PbBr3
Алешин А.Н.1, Щербаков И.П.1, Трапезникова И.Н.1, Петров В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

Получены полевые транзисторные (ПТ) структуры на основе растворимых металлорганических перовскитов - CH3NH3PbBr3 и исследованы их электрические свойства. Показано, что ПТ на основе пленок CH3NH3PbBr3 демонстрируют вольт-амперные характеристики (ВАХ), характерные для амбиполярных ПТ с режимом насыщения. Обнаружено, что передаточные характеристики ПТ на основе CH3NH3PbBr3 обладают незначительным гистерезисом и слабо зависят от напряжения на стоке-истоке. Значения подвижности носителей заряда (дырок), рассчитанные из ВАХ ПТ на основе CH3NH3PbBr3 при 300 K в режимах насыщения и слабых полей, составили ~ 5 cm2/Vs и ~2 cm2/Vs соответственно, а подвижность электронов ~ 3 cm2/Vs, что превышает значение подвижности ~ 1 cm2/Vs, полученное ранее для ПТ на основе CH3NH3PbI3. Работа выполнена при частичной поддержке Программ фундаментальных исследований ПРАН 1.8П и 1.25П и гранта РФФИ N 15-02-01897. DOI: 10.21883/FTT.2017.12.45248.108