Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния

DOI: 10.21883/FTT.2017.12.45239.173

Грудинкин C.А.¹, Кукушкин С.А. ^2,3,4, Осипов А.В.^2,3,4, Феоктистов Н.А.^1,2

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com

Поступила в редакцию: 30 мая 2017 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами инфракрасной спектроскопии (ИК) и спектральной эллипсометрии экспериментально подтвержден предсказанный ранее теоретически механохимический эффект нарушения стехиометрии состава, ведущий к образованию углерод-вакансионных структур в пленках карбида кремния (SiC) на подложках кремния (Si), выращенных методом замещения атомов. Обнаружено, что полоса в области 960 cm^-1 в ИК-спектрах пленок SiC на Si, отвечающая "углерод-вакансионным кластерам", всегда присутствует в пленках SiC, выращенных в атмосфере чистого монооксида углерода (CO) или в смеси CO с силаном (SiH₄) на подложках Si различной ориентации, уровня и типа легирования. Установлено отсутствие полосы поглощения в области 960 cm^-1 в ИК-спектрах пленок SiC, синтезированных при оптимальном соотношении давлений газов CO и трихлорсилана (SiHCl₃). Экспериментально подтвержден предсказанный ранее теоретически механизм протекания химической реакции замещения атомов Si на углерод (С) при взаимодействии газов CO и SiHCl₃ на поверхности подложки Si, приводящий к формированию эпитаксиальных слоев монокристаллического SiC. Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 15-0306155, 16-29-03149-офи) и в рамках проектной части гос. задания (проект: N 16.2811.2017/ПЧ). Работа выполнена при использовании оборудования Уникальной научной установки (УНУ) "Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУН ИПМаш РАН (Санкт-Петербург). DOI: 10.21883/FTT.2017.12.45239.173

C.А. Грудинкин, В.Г. Голубев, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов, С.А. Кукушкин. ФТТ 57, 2469 (2015)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 313001 (2014)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
H. Mutschke, A.C. Andersen, D. Clement, Th. Henning, G. Peiter. Astron. Astrophys. 345, 187 (1999)
К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, С.К. Жариков, И.К. Бейсембетов, Б.К. Кенжалиев, Т.К. Ахметов, Б.Ж. Сеитов. ФТТ 56, 2231 (2014)
K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov. In: Silicon carbide --- materials, processing and applications in electronic devices / Ed. M. Mukherjee. Ch. 4. InTech, Croatia (2011). P. 69
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ДАН 444, 266 (2012)
С.А. Кукушкин, К.Х. Нусупов, А.В. Осипов, Н.Б. Бейсенханов, Д.И. Бакранова. ФТТ 59, 986 (2017)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 43, 81 (2017)
M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov. In: Silicon Carbide. Recent Major Advances / Eds by W.J. Choyke H. Matsunami G. Pensl. Springer, Berlin (2004). P. 27--56
F.A. Johnson. Proc. Phys. Soc. 73, 265 (1959)
К. Борен, Д. Хафмен. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. Мир, М. (1986). 664 с
L. Dong, G. Sun, L. Zheng, X. Liu, F. Zhang, G. Yan, W. Zhao, L. Wang, X. Li, Z. Wang. J. Phys. D: Appl. Phys. 45, 245102 (2012)
D.N. Talwar, Z.C. Feng, C.W. Liu, C.-C. Tin. Sci. Technol. 27, 115019 (2012)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.К. Гордеев, С.Б. Корчагина. Письма в ЖТФ 31, 6 (2005)
Ю.Э. Китаев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 59, 30 (2017)
J.A.A. Engelbrecht, I.J. van Rooyen, A. Henry, E. Janzen, B. Sephton. Infrared Phys. Technol. 72, 95 (2015)
J.E. Spanier, I.P. Herman. Phys. Rev. B 61, 10437 (2000)
M. Born, E. Wolf. Principles of Optics. Pergamon Press, Oxford (1968). 808 p
T.S. Perova, J. Wasyluk, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin. Nanoscale Res. Lett. 5, 1507 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель