Издателям
Вышедшие номера
Влияние легирования и предварительной обработки на магнитостимулированную подвижность дислокаций в монокристаллах InSb
Петржик Е.А.1, Даринская Е.В.1, Ерофеева С.А.2, Раух ман М.Р.3
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: petrzhik@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Обнаружено влияние типа проводимости и степени легирования монокристаллов InSb на подвижность быстрых 60o дислокаций в магнитном поле. Оказалось, что при легировании чистого кристалла InSb теллуром (n-тип) до 1018 cm-3 подвижность дислокаций падает до уровня фона. В то же время в кристаллах InSb p-типа, легированных Ge, при такой же концентрации носителей (1018 cm-3) магнитопластический эффект ярко выражен. Показано, что предварительное механическое нагружение, а следовательно, и внутренние напряжения кристалла влияют не только на среднюю величину пробегов дислокаций в магнитном поле, но и на величину порогового магнитнго поля, ниже которого магнитопластический эффект не наблюдается. Обсуждаются возможные причины этих явлений. Работа частично финансировалась грандом Российской академии наук (Шестой конкурс научных проектов молодых ученых РАН).
  1. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская. ФТТ 29, 2, 467 (1987)
  2. В.И. Альшиц, А.А. Урусовская, А.Е. Смирнов, Н.Н. Беккауер. ФТТ 42, 2, 270 (2000)
  3. Yu.I. Golovin, R.B. Morgunov, D.V. Lopatin, A.A. Baskakov. Phys. Stat. Sol. (a) 160, R3 (1997)
  4. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. Письма в ЖЭТФ 61, 7, 583 (1995)
  5. Н.А. Тяпунина, В.Л. Красников, Э.П. Белозерова. Изв. РАН. Сер. физ. 64, 9, 1776 (2000)
  6. О.И. Дацко. ФТТ 44, 2, 289 (2002)
  7. V.I. Alshits, E.V. Darinskaya, O.L. Kazakova, E.Yu. Mikhina, E.A. Petrzhik. Mater. Sci. Eng. А 234--236, 617 (1997)
  8. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская. Письма в ЖЭТФ 70, 11, 749 (1999)
  9. Е.В. Даринская, М.В. Колдаева. Письма в ЖЭТФ 70, 3, 226 (1999)
  10. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, А.А. Дмитриевский. ЖЭТФ 116, 6, 123 (2000)
  11. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, И.В. Гектина, Ф.Ф. Лаврентьев. Кристаллография 35, 4, 1014 (1990)
  12. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Е.А. Петржик. ФТТ 34, 1, 155 (1992)
  13. Н.Н. Песчанская, П.Н. Якушев. ФТТ 39, 9, 1690 (1997)
  14. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.Ю. Ликсутин. Высокомолекуляр. соединения Б 40, 373 (1999)
  15. Ю.А. Осипьян, Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, Р.К. Николаев, И.А. Пушнин, С.З. Шмурак. ФТТ 43, 7, 1333 (2001)
  16. Е.В. Даринская, Е.А. Петржик, С.А. Ерофеева, В.П. Кисель. Письма в ЖЭТФ 70, 4, 298 (1999)
  17. А.А. Скворцов, А.М. Орлов, В.А. Фролов, Л.И. Гончар, О.В. Литвиненко. ФТТ 42, 10, 1814 (2000)
  18. А.А. Скворцов, А.М. Орлов, Л.И. Гончар. ЖЭТФ 120, 1, 134 (2001)
  19. В.А. Макара, Л.П. Стебленко, Н.Я. Горидько, В.М. Кравченко, А.Н. Коломиец. ФТТ 43, 3, 462 (2001)
  20. Б.И. Смирнов, Н.Н. Песчанская, В.И. Николаев. ФТТ 43, 12, 31 (2001)
  21. С.А. Гриднев, К.С. Дрождин, В.В. Шмыков. ФТТ 42, 2, 318 (2000)
  22. Я.Б. Зельдович, А.Л. Бучаченко, Е.Л. Франкевич. УФН 155, 1, 3 (1988)
  23. А.Л. Бучаченко, Р.З. Сагдеев, К.М. Салихов. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Наука, Новосибирск (1978). 296 с
  24. S.A. Erofeeva. Phil. Mag. A 70, 943 (1994)
  25. V.P. Kisel, S.A. Erofeeva, M.Sh. Shikhsaidov. Phil. Mag. A 67, 343 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.