Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt
Министерство образования и науки Российской Федерации, Проектная часть государственного задания, 8.1751.2017/ПЧ
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные научные проекты, 15-02-07824
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные научные проекты, 16-07-01102
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс молодёжных научных проектов "Эврика", 17-37-80008
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Грант Президента РФ, МК-8221.2016.2
Дорохин М.В.
1, Ведь М.В.
1, Дёмина П.Б.
1, Здоровейщев А.В.
1, Кудрин А.В.
1, Рыков А.В.
1, Кузнецов Ю.М.
11Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Исследована спиновая инжекция в спиновых светоизлучающих диодах (ССИД) CoPt/Al2O3/(Al)GaAs. Обнаружены осцилляции степени циркулярной поляризации при варьировании расстояния между активной областью ССИД и CoPt ферромагнитным инжектором. Осцилляции не зависят от материала ССИД (GaAs или AlGaAs), а также от типа инжектированных спин-поляризованных носителей (электроны или дырки), и связываются с действием перпендикулярного магнитного поля на инжектированные спин-поляризованные носители, которое обусловливает их прецессию. В процессе переноса к активной области на расстоянии 50-100 nm от инжектора z-компонента спина меняет фазу, в эксперименте это регистрируется как изменение знака степени циркулярной поляризации электролюминесценции. Предположительно, источником внутреннего магнитного поля, приводящего к спиновой прецессии, является магнитное поле неоднородно намагниченного контакта CoPt. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания - проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России, при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824_а, 16-07-01102_а и 17-37-80008_мол_эв_а), стипендии (конкурс СП-2015) и гранта (МК-8221.2016.2) президента Российской Федерации. DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45050.13k
- Concepts in Spin Electronics / Ed. S. Maekawa. Oxford University Press, N.Y. (2006). 398 p
- I. Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys, 76, 323 (2004)
- M. Holub, P. Bhattacharya. J. Phys. D 40, R179 (2007)
- Оптическая ориентация / Под. ред. Б.П. Захарчени, Ф. Майера. Наука, Л. (1989). 408 с
- P. Chuang, S.-C. Ho, L.W. Smith, F. Sfigakis, M. Pepper, C.-H. Chen, J.-C. Fan, J.P. Griffiths, I. Farrer, H.E. Beere, G.A.C. Jones, D.A. Ritchie, T.-M. Chen. Nature nanotechnology 10, 35 (2015)
- А.В. Здоровейщев, М.В. Дорохин, О.В. Вихрова, П.Б. Демина, А.В. Кудрин, А.Г. Темирязев, М.П. Темирязева. ФТТ 58, 2186 (2016)
- А.И. Бобров, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, А.В. Здоровейщев, Н.В. Малехонова, Е.И. Малышева, Д.А. Павлов, С. Сайед. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 7, 57 (2015)
- T. Manago, H. Akinaga. Appl. Phys. Lett. 81, 694 (2002)
- R.J. Epstein, I. Malajovich, R.K. Kawakami, Y. Chye, M. Hanson, P.M. Petroff, A. Gossard, D.D. Awschalom. Phys. Rev. B 65, 121202 (2002)
- В.Л. Коренев. ПЖЭТФ 78, 1053 (2003)
- А.С. Волков, А.И. Екимов, С.А. Никишин, В.И. Сафаров, Б.В. Царенков, Г.В. Царенков. Письма в ЖЭТФ 25, 560 (1977)
- А.С. Волков, Г.В. Царенков. ФТП 11, 1709 (1977)
- S. Datta, B. Das. Appl. Phys. Lett. 56, 665 (1990)
- Д.Ф. Киселев, А.С. Жукарев, С.А. Иванов, С.А. Киров, Е.В. Лукашева. Электричество и магнетизм. Методика решения задач. МГУ, М. (2010). С. 325
- С.Г. Калашников. Электричество. Наука, М. (1985). С. 239--245
- L.H. Bennett, E. Della Tore. J. Appl. Phys. 97, 10E502 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
