Вышедшие номера
Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt
Министерство образования и науки Российской Федерации, Проектная часть государственного задания, 8.1751.2017/ПЧ
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные научные проекты, 15-02-07824
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные научные проекты, 16-07-01102
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс молодёжных научных проектов "Эврика", 17-37-80008
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Грант Президента РФ, МК-8221.2016.2
Дорохин М.В. 1, Ведь М.В.1, Дёмина П.Б.1, Здоровейщев А.В. 1, Кудрин А.В.1, Рыков А.В. 1, Кузнецов Ю.М.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Исследована спиновая инжекция в спиновых светоизлучающих диодах (ССИД) CoPt/Al2O3/(Al)GaAs. Обнаружены осцилляции степени циркулярной поляризации при варьировании расстояния между активной областью ССИД и CoPt ферромагнитным инжектором. Осцилляции не зависят от материала ССИД (GaAs или AlGaAs), а также от типа инжектированных спин-поляризованных носителей (электроны или дырки), и связываются с действием перпендикулярного магнитного поля на инжектированные спин-поляризованные носители, которое обусловливает их прецессию. В процессе переноса к активной области на расстоянии 50-100 nm от инжектора z-компонента спина меняет фазу, в эксперименте это регистрируется как изменение знака степени циркулярной поляризации электролюминесценции. Предположительно, источником внутреннего магнитного поля, приводящего к спиновой прецессии, является магнитное поле неоднородно намагниченного контакта CoPt. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания --- проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России, при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824_а, 16-07-01102_а и 17-37-80008_мол_эв_а), стипендии (конкурс СП-2015) и гранта (МК-8221.2016.2) президента Российской Федерации. DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45050.13k
  1. Concepts in Spin Electronics / Ed. S. Maekawa. Oxford University Press, N.Y. (2006). 398 p
  2. I. Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys, 76, 323 (2004)
  3. M. Holub, P. Bhattacharya. J. Phys. D 40, R179 (2007)
  4. Оптическая ориентация / Под. ред. Б.П. Захарчени, Ф. Майера. Наука, Л. (1989). 408 с
  5. P. Chuang, S.-C. Ho, L.W. Smith, F. Sfigakis, M. Pepper, C.-H. Chen, J.-C. Fan, J.P. Griffiths, I. Farrer, H.E. Beere, G.A.C. Jones, D.A. Ritchie, T.-M. Chen. Nature nanotechnology 10, 35 (2015)
  6. А.В. Здоровейщев, М.В. Дорохин, О.В. Вихрова, П.Б. Демина, А.В. Кудрин, А.Г. Темирязев, М.П. Темирязева. ФТТ 58, 2186 (2016)
  7. А.И. Бобров, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, А.В. Здоровейщев, Н.В. Малехонова, Е.И. Малышева, Д.А. Павлов, С. Сайед. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 7, 57 (2015)
  8. T. Manago, H. Akinaga. Appl. Phys. Lett. 81, 694 (2002)
  9. R.J. Epstein, I. Malajovich, R.K. Kawakami, Y. Chye, M. Hanson, P.M. Petroff, A. Gossard, D.D. Awschalom. Phys. Rev. B 65, 121202 (2002)
  10. В.Л. Коренев. ПЖЭТФ 78, 1053 (2003)
  11. А.С. Волков, А.И. Екимов, С.А. Никишин, В.И. Сафаров, Б.В. Царенков, Г.В. Царенков. Письма в ЖЭТФ 25, 560 (1977)
  12. А.С. Волков, Г.В. Царенков. ФТП 11, 1709 (1977)
  13. S. Datta, B. Das. Appl. Phys. Lett. 56, 665 (1990)
  14. Д.Ф. Киселев, А.С. Жукарев, С.А. Иванов, С.А. Киров, Е.В. Лукашева. Электричество и магнетизм. Методика решения задач. МГУ, М. (2010). С. 325
  15. С.Г. Калашников. Электричество. Наука, М. (1985). С. 239--245
  16. L.H. Bennett, E. Della Tore. J. Appl. Phys. 97, 10E502 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.