Издателям
Вышедшие номера
Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия
Бутко А.В.1, Бутко В.Ю.1,2, Лебедев С.П.1,3, Лебедев А.А.1, Кумзеров Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimirybutko@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Для создания новых перспективных химических сенсоров большое значение имеет исследование влияния на транзисторные характеристики графена его интерфейса с водными растворами кислот и щелочей. Созданы и исследованы транзисторные структуры на основе графена, выращенного путем термического разложения карбида кремния. Для интерфейса графена с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия в транзисторной геометрии при изменении напряжения между затвором и истоком обнаружен полевой эффект, соответствующий дырочному типу носителей заряда в графене. Установлено, что увеличение концентрации молекулярных ионов в данных растворах приводит к усилению зависимости сопротивления транзистора от напряжения на затворе. Работа частично поддержана РФФИ (проект N 14-02-01212) и РНФ (проект N 15-12-00027). DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44981.097
  1. P.K. Ang, W. Chen, A.T.S. Wee, K.P. Loh. J. Am. Chem. Soc. 130, 14392 (2008)
  2. W. Fu, C. Nef, O. Knopfmacher, A. Tarasov, M. Weiss, M. Calame, C. Schonenberger. Nano Lett. 11, 3597 (2011)
  3. M.H. Lee, B.J. Kim, K.H. Lee, I.S. Shin, W. Huh, J.H. Cho, M.S. Kang. Nanoscale 7, 7540 (2015)
  4. А.В. Бутко, В.Ю. Бутко, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Ю.А. Кумзеров. ФТТ 58, 1432 (2016)
  5. V.Y. Butko, X. Chi, D.V. Lang, A.P. Ramirez. Appl. Phys. Lett. 83, 4773 (2003)
  6. V.Y. Butko, X. Chi, A.P. Ramirez. Solid State Commun. 128, 431 (2003)
  7. L.H. Hess, M.V. Hauf, M. Seifert, F. Speck, T. Seyller, M. Stutzmann, I.D. Sharp, J.A. Garrido. Appl. Phys. Lett. 99, 033503 (2011)
  8. T. Feng, D. Xie, G. Li, J. Xu, H. Zhao, T. Ren, H. Zhu. Carbon 78, 250 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.