Издателям
Вышедшие номера
Исследование валентного перехода в системе О2-Yb-Si(111) с помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением
Кузьмин М.В.1, Митцев М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

С помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением проведены исследования структур Yb-Si(111) и O2-Yb-Si(111) и получены данные о распределение двух- и трехвалентных ионов в нанопленках иттербия в случае, когда адсорбированный слой молекул на их поверхности еще не полностью сформирован и валентный переход Yb2+->Yb3+ не завершен. Показано, что распределение ионов Yb2+ и Yb3+ вглубь нанопленок близко к изотропному и что его протяженность составляет 9 или более монослоев. Полученные результаты свидетельствуют о том, что в формировании 5d-зоны иттербия, стимулированном адсорбированными молекулами, участвуют все атомы нанопленки, подтверждая предположения, сделанные в более ранних публикациях. DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44976.106
  • М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ 52, 577 (2010)
  • М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ 52, 1202 (2010)
  • Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. Письма в ЖТФ 38, 22 (2012)
  • J.J. Yeh, I. Lindau. Atom. Data Nucl. Data Tables 32, 1 (1985)
  • L.I. Johansson, J.W. Allen, I. Lindau, M.N. Hecht, S.B.M. Hagstrom. Phys. Rev. B 21, 1408 (1980)
  • J. Scmidt-May, F. Gerken, R. Nyholm, L.C. Davis. Phys. Rev. B 30, 5560 (1984)
  • R. Meier, E. Weschke, A. Bievetski, C. Scub ler-Langeheine, Z. Hu, G. Kaindl. Chem. Phys. Lett. 292, 507 (1998)
  • S. Danzenba, Yu. Kuchernko, C. Laubschat, D.V. Vyalikh, Z. Hossain, C. Geibel, X.J. Zhou, W.L. Yang, N. Mannella, Z. Hussain, Z.-X. Shen, S.L. Molodtsov. Phys. Rev. Lett. 96, 106402 (2006)
  • F. Gerken, A.S. Flodstrom, J. Barth, L.I. Johansson, C. Kunz. Phys. Scripta 32, 43 (1985)
  • R. Kern, G. LeLay, J.J. Metois. In: Current Topic in Material Science. V. 3. Basic mechanisms in the early stages of epitaxy / Ed. E. Kaldis. North-Holland, Publ. Company (1979). P. 131--419
  • D.A. Shirley. Phys. Rev. B 5, 4709 (1972)
  • F. Gerken, J. Barth, R. Kammerer, L.I. Johansson, A. Flodstrom. Surf. Sci. 117, 468 (1982)
  • Л. Фельдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок. Мир, М. (1989). 342 с
  • Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 57, 1821 (2015).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.