Издателям
Вышедшие номера
Сравнительный анализ деформационных полей в слоях метаморфных ступенчатых буферов различного дизайна
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-07-00187 А
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-29-03033 офи\_м
Алёшин А.Н. 1, Бугаев А.С. 1, Рубан О.А. 1, Табачкова Н.Ю. 2, Щетинин И.В. 2
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: a.n.aleshin@mail.ru, bugayev@gmail.com, myx.05@mail.ru, ntabachkova@gmail.com, ingvvar@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Методом построения карт обратного пространства, полученных с помощью трехосевой рентгеновской дифрактометрии, и на основе линейной теории упругости получены пространственные распределения остаточных упругих деформаций в слоях двух метамофных ступенчатых буферов различного дизайна, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе тройных растворов InxAl1-xAs на подложках (001) GaAs. Разница в дизайне буферов обеспечивала образование в каждой из гетероструктур бездислокационного слоя с различной толщиной, что явилось основным базисом данного исследования. Показано, что, несмотря на различный дизайн метаморфных ступенчатых буферов, характер деформационных полей в них один и тот же, а остаточные упругие деформации в финальных элементах обоих буферов с учетом поправки на эффект деформационного упрочнения подчиняются тому же феноменологическому закону, который описывает процесс структурной релаксации в однослойных гетероструктурах. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (гранты N 16-07-00187 А и 16-29-03033 офи_м). DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44965.068
  1. M. Imaizumi, M. Hirotani, T. Soga. Proc. of IEEE 42-=SUP=-nd-=/SUP=- Photovoltaic Specialist Conf. New Orleans, USA (2015). 5 p
  2. R. Kumar, A. Bag, P. Mukhopadhyay, S. Das, D. Biswas. Appl. Surf. Sci. 357, 922 (2015)
  3. T. Kujofsa, J.E. Ayers. Int. J. High Speed Electron. Systems 24, 152009 (2015)
  4. A.M. Andrews, J.S. Speck, A.E. Romanov, M. Bobeth, W. Pompe. J. Appl. Phys. 91, 1933 (2002)
  5. Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.М. Имамов, Г.В. Ганин, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев, О.М. Жигалина, А.С. Орехов, А.Л. Васильев, М.Ю. Пресняков, И.Н. Трунькин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 5, 32 (2016)
  6. J. Tersoff. Appl. Phys. Lett. 62, 693 (1993)
  7. D.J. Dunstan. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 8, 337 (1997)
  8. E. Ayers. Heteroepitaxy of semiconductors. Theory, growth, and characterization. Taylor and Francis Group, N.Y. (2007). 439 p
  9. D.J. Dunstan, P. Kidd, L.K. Howard, R.H. Dixon. Appl. Phys. Lett. 59, 3390 (1991)
  10. D.J. Dunstan, P. Kidd, P.F. Fewster, N.L. Andrew, R. Grey, P.R. David, L. Gonzalez, Y. Gonzalez, A. Sacedon, F. Gonzalez-Sanz. Appl. Phys. Lett. 65, 839 (1994)
  11. D.J. Dunstan, S. Young, R.H. Dixon. J. Appl. Phys. 70, 3039 (1991)
  12. A.V. Drigo, A. Audinli, A. Carnera, F. Genova, C. Rigo, C. Ferrari, P. Franzosi, G. Salviati. J. Appl. Phys. 66, 1975 (1989)
  13. K. Kamigaki, H. Sakashita. M. Nakayama, N. Sano, H. Terauchi. Appl. Phys. Lett. 49, 1071 (1986)
  14. P.J. Orders, B.F. Usher. Appl. Phys. Lett. 50, 980 (1987)
  15. P.M.J. Maree, J.C. Barbour, J.F. van der Veen, K.L. Kavanagh, C.W.T. Bulle-Lieuwma, M.P.A. Viegers. J. Appl. Phys. 62, 4413 (1987)
  16. Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. Наука, СПб. (2002). 275 с
  17. В.А. Бушуев, Р.Н. Кютт, Ю.П. Хапачев. Физические принципы рентгенодифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок. Кабардино-Балкарский гос. ун-т, Нальчик (1996). 181 с
  18. А.Н. Алёшин, А.С. Бугаев, М.А. Ермакова, О.А. Рубан. ФТП 49, 1065 (2015)
  19. J.-M. Chauveau, Y. Androussi, A. Lefebvre, J. Di Persio, Y. Cordier. J. Appl. Phys. 93, 4219 (2003)
  20. Ю.П. Хапачев, Ф.Н. Чуховский. Кристаллография 34, 776 (1989)
  21. С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения A-=SUB=-3-=/SUB=-B-=SUB=-5-=/SUB=-. Справочник. Металлургия, М. (1984). 144 c
  22. K.N. Tu, J.W. Mayer, L.C. Feldman. Electronic thin film science. For electrical engineers and materials scientists. Macmillan Publishing Company, N.Y. (1992). 428 p
  23. Y. Cordier, D. Ferre. J. Cryst. Growth 201/202, 263 (1999)
  24. D.J. Dunstan. Phil. Mag. A 73, 1323 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.