Издателям
Вышедшие номера
Поляризационные эффекты в гетеролазерах In28Ga72As/GaAs на квантовой яме
Президиум РАН, фундаментальных исследований Президиума РАН № 1«НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ»
Кулакова Л.А.1, Лютецкий А.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: L.Kulakova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Экспериментально и теоретически изучено воздействие вводимых извне переменных деформаций на поляризационные свойства излучения лазера In28Ga72As/GaAs на квантовой яме при комнатной температуре. Проведен анализ поляризационных эффектов при различных величинах превышения рабочим током порогового. Получены данные о величине энергии расщепления уровней легких и тяжелых дырок в квантовой яме исследованной структуры. Экспериментально доказано, что эффективность воздействия переменной деформацией на поворот поляризации существенно возрастает с увеличением ширины квантовой ямы. Работа поддержана РФФИ (грант N 11-02-00729) и научными программами Президиума РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44837.062x
  1. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). C. 485
  2. Е.Л. Портной. Письма в ЖТФ 6, 12, 705 (1980)
  3. Г.С. Соколовский, А.Г. Дерягин, В.И. Кучинский. Письма в ЖТФ 23, 9, 87 (1997)
  4. Н.С. Аверкиев, Ю.Л. Иванов, А.А. Красивичев, Н.П. Петров, Н.И. Саблина, В.Е. Седов. ФТП 42, 3, 322 (2008)
  5. Л.А. Кулакова, И.С. Тарасов. Письма в ЖЭТФ 78, 2, 77 (2003)
  6. Л.А. Кулакова, Н.А. Пихтин, С.И. Слипченко, И.С. Тарасов. ЖЭТФ 131, 5, 790 (2007)
  7. L.A. Kulakova. Appl. Opt. 48, 6, 1128 (2009)
  8. Л.А. Кулакова, А.В. Лютецкий, В.Б. Волошинов. Письма в ЖТФ 36, 12, 48 (2010)
  9. A.V. Scherbakov, T. Berstermann, A.V. Akimov, D.R. Yakovlev, G. Beaudoin, D. Bajoni, I. Sagnes, J. Bloch, M. Bayer. Phys. Rev. B 78, 24, 241302 (2008)
  10. A.V. Akimov, A.V. Scherbakov, D.R. Yakovlev, M. Bayer, A. Kent. J. Lumin. 131, 3, 404, 2011
  11. I.V. Rozhansky, M.B. Lifshits, S.A. Tarasenko, N.S. Averkiev. Phys. Rev. B 80, 8, 085314 (2009)
  12. L.A. Kulakova, V.A. Gorelov, A.V. Lutetskiy, N.S. Averkiev. Solid State Commun. 152, 17, 1690 (2012)
  13. Л.А. Кулакова, Н.С. Аверкиев, А.В. Лютецкий, В.А. Горелов. ФТП 47, 1, 137 (2013).
  14. Л.А. Кулакова, Н.С. Аверкиев, А.Н. Даринский, Э.З. Яхкинд. Квантовая электроника 43, 5, 410 (2013)
  15. T.K. Sharma, M. Zorn, U. Zeimer, H. Kissel, F. Bugge, M. Weyers. Cryst. Res. Technol. 40, 9, 877 (2005)
  16. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, Д.Н. Николаев, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП 43, 10, 1374, (2009)
  17. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП 39, 3, 388 (2005)
  18. Electronic archiv: New semiconductor materials. characteristics and properties; http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.