Вышедшие номера
Влияние gamma-облучения на диэлектрическую проницаемость и элекропроводность кристаллов TlGaS2
Шелег А.У.1, Иодковская К.В.1, Курилович Н.Ф.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Email: sheleg@ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 20 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Исследовано влияние gamma-облучения на диэлектрическую проницаемость varepsilon и электропроводность sigma кристалла TlGaS2, измеренных на частотах: 0.1, 1, 10 kHz и 1 MHz в области температур 200-370 K. Показано, что с ростом температуры значения varepsilon и sigma увеличиваются. Установлено, что при облучении исследуемых образцов TlGaS2 дозой 10 MR значения sigma, измеренные на всех частотах, и varepsilon при дозе 1 MR на частотах 10 kHz и 1 MHz увеличиваются, а при дальнейшем накоплении дозы происходит уменьшение величин varepsilon и sigma. Обнаружена значительная дисперсия исследуемых параметров - с ростом частоты varepsilon уменьшается, а sigma растет. Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда фундаментальных исследований Белоруссии (проект Ф99-043).