Издателям
Вышедшие номера
Транспленочная пассивация границы раздела кремний-нанопленки иттербия хемосорбированными на их поверхности молекулами CO и O2
Президиум РАН , Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 1 «НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ", 1.1.8.6
Митцев М.А.1, Кузьмин М.В.1, Блашенков Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: M.Mittsev@mail.ioffe.ru, M.Kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

Обнаружена и исследована пассивация границы раздела кремний-пленки иттербия нанометровой толщины молекулами СО и О2, хемосорбированными на противоположной стороне пленок. Установлен механизм транспленочного торможения силицидообразования. Он обусловлен кулоновским взаимодействием между локализованными электронами, формирующими донорно-акцепторную связь молекул с пленками, и электронами проводимости (6s-зона) иттербия. Это взаимодействие повышает энергию систем слой хемосорбированных молекул-пленки иттербия. При заданном количестве хемосорбированных молекул это повышение будет больше в случае более тонких пленок. Такая связь с толщиной пленок и обусловливает в конечном счете отсутствие химического взаимодействия между кремнием и иттербием в случае, когда на поверхности нанопленок последнего хемосорбированы молекулы СО и О2. Работа (за исключением части, посвященной работе выхода, рис. 5) выполнена при поддержке Программы фундаментальных исследований Президиума РАН N 1 "Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий" (проект N 1.1.8.6). DOI: 10.21883/FTT.2017.08.44766.31
  1. М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ 53, 569 (2011)
  2. М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ 53, 1224 (2011)
  3. Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 50, 168 (2008)
  4. F.P. Netzer. J. Phys.: Condens. Matter 7, 991 (1995)
  5. C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, U.O. Karlsson. J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1942 (1991)
  6. R. Hofmann, W.AQ. Henle, F.P. Netzer, M. Neuber. Phys. Rev. B 46, 3857 (1992)
  7. М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ 52, 1202 (2010)
  8. М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ 54, 1988 (2012)
  9. М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ 52, 577 (2010)
  10. Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. Письма в ЖТФ 38, 21, 22 (2012)
  11. S. Wieling, S.L. Molodtsov, Th. Gantz, J.J. Hinarjeos, C. Laubschat. Phys. Rev. B 58, 13219 (1998)
  12. Е.М. Савицкий, В.Ф. Терехова. Металловедение редкоземельных металлов. Наука, М. (1975). 271 с
  13. Handbook of semiconductors. V. 2 / Ed. M. Balkanski. North-Holland, Amsterdam (1994). 857 p
  14. Свойства элементов. Ч. 1. Физические свойства / Под ред. Г.В. Самсонова. Металлургия. М. (1976). 599 с
  15. М.В. Кузьмин, М.А. Митцев, А.М. Мухучев. ФТТ 57, 2056 (2015)
  16. S. Gokhale, S. Mahamuni, K. Joshi, A.S. Nigavekar, S.K. Kulkarni. Surf. Sci. 257, 157 (1991)
  17. S. Gokhale, S. Mahamuni, S.V. Desmukh, V.J. Rao, A.S. Negavekar, S.K. Kulkarni. Surf. Sci. 237, 127 (1990)
  18. V.M. Koleshko, V.F. Belitsky, A.A. Khodin. Thin Solid Films 141, 277 (1986)
  19. М.А. Митцев, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов. ФТТ 58, 2054 (2016)
  20. J.J. Pagel, C.M. Wei, M.Y. Chou. D.-A. Luh, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. B 66, 233403 (2002)
  21. Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 48, 2085 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.