Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоиндуцированное поглощение терагерцeвого излучения в полуизолирующем кристалле GaAs
РФФИ, РТ_оми, 15-59-30406 РТ
Курдюбов А.С.1, Трифонов А.В.
1, Герловин И.Я.
1, Игнатьев И.В.
1, Кавокин А.В.
1,2
1Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
2Школа физики и астрономии, Университет Саутгемптона, Хайфилд, Саутгемптон, Великобритания
2Школа физики и астрономии, Университет Саутгемптона, Хайфилд, Саутгемптон, Великобритания
Email: kurdyubov@yandex.ru, arthur.trifonov@gmail.com, ilya.gerlovin@mail.ru, i.ignatiev@spbu.ru, a.kavokin@soton.ac.uk
Поступила в редакцию: 8 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2017 г.
Экспериментально изучено влияние оптической подсветки на прохождение терагерцeвого излучения через объемный кристалл полуизолирующего GaAs. Установлено, что без подсветки поглощение электромагнитных волн с частотой порядка 1 THz в исследуемом кристалле практически отсутствует. Оптическая подсветка в области фундаментального поглощения кристалла не влияет на пропускание терагерцевых волн. В то же время при подсветке немного ниже края фундаментального поглощения, т. е. фактически в область прозрачности, пропускание терагерцевого излучения резко падает. При температуре жидкого гелия максимальный эффект достигается при энергии оптических фотонов примерно на 30 meV меньшей ширины запрещенной зоны кристалла. Дальнейшая отстройка подсветки в область меньших энергий сопровождается практически полным восстановлением пропускания. С увеличением температуры образца спектральная область эффективного действия подсветки смещается вместе со сдвигом края фундаментального поглощения в сторону меньших энергий фотонов. Работа поддержана грантом РФФИ 15-59-30406 РТ. DOI: 10.21883/FTT.2017.07.44586.437
- D. Dragoman, M. Dragoman. Prog. Quantum Electron. 28, 1, 1 (2004)
- В.Г. Беспалов. Опт. журн. 73, 11, 28 (2006)
- В.М. Исаев, И.Н. Кабанов, В.В. Комаров, В.П. Мещанов. Докл. ТУСУРа, 4, 34, 5--21 (2014)
- X.-C. Zhang, Jingzhou Xu. Introduction to THz Wave Photonics. Springer, N.Y. (2010). 246 p
- O. Cherkasova, M. Nazarov, A. Shkurinov. Opt. Quantum Electron. 48, 217 (2016)
- H.-J. Song, T. Nagatsuma. IEEE transactions on terahertz science and technology. (2011). V. 1, N 1, 256-263
- A.Y. Pawar, D.D. Sonawane, K.B. Erande, D.V. Derle. Drug Invention Today 5, 2, 157--163 (2013)
- G. Chattopadhyay. IEEE transactions on terahertz science and technology. (2011). V. 1, N 1. pp. 33--53
- Y.-S. Lee. Principles of Terahertz Science and Technology. Springer, N.Y. (2009). 340 p
- L. Hrivnak. Czech. J. Phys. B 34, 436 (1984)
- Е.Б. Александров, В.С. Запасский. Оптика и спектроскопия 41 5, 855 (1976)
- Е.Б. Александров, В.С. Запасский. О фотонах и спинах. СПбГУ, СПб. (2009). 253 с
- F. Urbach. Phys. Rev. 92, 1324 (1953)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990). 688 с
- P.G. Huggard, J.A. Cluff, G.P. Moore, C.J. Shaw, S.R. Andrews, S.R. Keiding, D.A. Ritchie. J. Appl. Phys. 87 5, 2382 (2000)
- Y. Oyama, H. Dezaki, Y. Shimizu, K. Maeda. Appl. Phys. Lett. 106, 022109 (2015).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
