Вышедшие номера
Послесвечение вюрцитных кристаллов GaN, легированных редкоземельными металлами
Криволапчук В.В.1, Мездрогина М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlad.krivol@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Методами измерения задержанных спектров близкраевой фотолюминесценции оценено влияние распределения примеси и суммарной концентрации дефектов на транспорт неравновесных носителей, обнаружены особенности послесвечения в кристаллах GaN, GaN<Eu, Sm, Er>. Показано, что уменьшение суммарной концентрации носителей коррелирует с послесвечением в вюрцитных кристаллах GaN. Оценено влияние дополнительной подсветки при длине волны 5145 Angstrem на эволюцию задержанных спектров близкраевой фотолюминесценции для кристаллов с различным положением уровня Ферми. Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры".