Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов
РФФИ, 16-29-03149-офи-м
РФФИ, 15-0306155
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Казахстанско-Британский технический университет, Алматы, Казахстан
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Казахстанско-Британский технический университет, Алматы, Казахстан
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com, beisen@mail.ru, andrey.v.osipov@gmail.com>, ldina13@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
Впервые методами рентгеновской рефлектометрии, ИК-спектроскопии и атомно-силовой микроскопии, (АСМ) проведено комплексное исследование структуры и состава нанослоев SiC. Пленки SiC были синтезированы новым методом топохимического замещения атомов подложки при различных температурах и давлениях рабочего газа CO на поверхности высокоомного, низкодислокационного монокристаллического кремния n-типа ориентации (111). На основании анализа и обобщения экспериментальных данных, полученных с использованием методов рентгеновской рефлектометрии, ИК-спектроскопии и АСМ предложена структурная модель пленок SiC на Si. Согласно данной модели пленки карбида кремния состоят из ряда параллельных подложке слоев, напоминающих "слоеный пирог". Экспериментально определен состав и толщина каждого слоя, входящего в структуру пленки. Обнаружено, что во всех образцах присутствует в сверхстехиометрическом состоянии углерод, однако, его структура существенно различна для образцов, синтезированных при температурах 1250oC и 1330oC, соответственно. В первом случае поверхность пленок насыщена кремниевыми вакансиями и углеродом, находящимся в структурно "рыхлой" форме, напоминающей углерод в состоянии HOPG. В пленках, выращенных при температуре 1330oC, углерод находится в плотной структуре, приближающейся по плотности к алмазу. С.А. Кукушкин и А.В. Осипов благодарят за финансовую поддержку РФФИ (гранты NN 15-0306155, 16-29-03149-офи-м). Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б. и Бакранова Д.И. благодарят за финансовую поддержку Комитет науки МОН РК (гранты ГР NN 0262/ГФ4, 4327/ГФ4; 2015-2017 гг.). Часть экспериментальных исследований проводились при использовании оборудования Уникальной научной установки (УНУ) "Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУН ИПМаш РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.05.44391.379
- L. Calcagno, P. Musumeci, F. Roccaforte, C. Bongiorno, G. Foti. Appl. Surf. Sci. 184, 123 (2001)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024909-1 (2013)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov. Patent N 2363067 (2008)
- G.R. Fisher, P. Barnes. Philosophical Mag. B 61, 217 (1990)
- J.K.N. Lindner. Appl. Phys. A 77, 27 (2003)
- M.J. Pelletier. Analytical applications of Raman spectroscopy. Blackwell Science, UK. (1999). 496 p
- С.А. Апрелов. Многоволновая рентгеновская рефлектометрия для анализа многокомпонентных пространственноупорядоченных структур. Автореф. канд. дис. МГИЭТ, М. (2007). 28 с
- К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, С.К. Жариков, И.К. Бейсембетов, Б.К. Кенжалиев, Т.К. Ахметов, Б.Ж. Сеитов. ФТТ 56, 2231 (2014)
- T.S. Perova, J. Wasyluk, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin. Nanoscale Res. Lett. 5, 1507 (2010)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 47 1575 (2013)
- K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, I.V. Valitova, K.A. Mit', D.M. Mukhamedshina, E.A. Dmitrieva. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 19, 254 (2008)
- K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov. In: Silicon carbide--materials, processing and applications in electronic devices / Ed. M. Mukherjee. Ch. 4. InTech, Croatia (2011). P. 69
- K.Kh. Nussupov, V.O. Sigle, N.B. Bejsenkhanov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 82, 69 (1993)
- И.П. Калинкин, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Способ обработки поверхности монокристаллической пластины кремния. Патент N 2323503 РФ. Приоритет 05.06.2006
- A.G. Touryanski, A.V. Vinogradov, I.V. Pirshin. US Patent N 6041098 (2000)
- H. Mutschke, A.C. Andersen, D. Clement, T. Henning, G. Peiter. Astron. Astrophys 345, 187 (1999)
- J.A. Borders, S.T. Picraux, W. Beezhold. Appl. Phys. Lett. 18, 509 (1971).
- Е.К. Баранова, К.Д. Демаков, К.В. Старинин, Л.Н. Стрельцов, И.Б. Хайбуллин. Докл. АН СССР 200, 869 (1971)
- D. Chen, W.Y. Cheung, S.P. Wong. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 148, 589 (1999)
- С.А. Грудинкин, В.Г. Голубев, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов, С.А. Кукушкин. ФТТ 57, 2469 (2015)
- Б.Ф. Ормонт. Современное содержание стехиометрических законов. Фазы и соединения переменного состава. Нестехиометрические соединения. В сб.: Соединения переменного состава. Химия, Ленинград (1969). С. 10--63
- B.L. Henke, E.M. Gullikson, J.C. Davis. In: Atomic Data and Nuclear. Data Tables 54, 2 (1993). 181 p. (http://henke.lbl.gov/optical\_constants/)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 42, 16 (2016)
- Г.В. Бенеманская, П.А. Дементьев, С.А. Кукушкин, М.Н. Лапушкин, А.В. Осипов, Б.В. Сеньковский. ФТП 50, 1348 (2016)
- А.И. Белов, А.Н. Михайлов, Д.Е. Николичев, А.В. Боряков, А.П. Сидорин, А.П. Грачев, А.В. Ершов, Д.И. Тетельбаум. ФТП 44, 1498 (2010).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
