Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления
Леньшин А.С.1, Кашкаров В.М.1, Домашевская Э.П.1, Середин П.В.1, Бельтюков А.Н.2, Гильмутдинов Ф.З.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
2Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
Email: lenshinas@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.
С использованием методов растровой электронной микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии проведены исследования особенностей морфологии и состава поверхности нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления. Обнаружено, что сформированные нанокомпозиты в зависимости от толщины осажденного слоя олова различаются между собой соотношением основных фаз: диоксида олова, субоксида и металлического олова. При этом доля окисленного олова в фазовом составе композитов уменьшается от поверхности к объему образца. Установлено, что осаждение нанослоев олова не приводит к значительному изменению фазового состава подложки пористого кремния. Работа выполнена при поддержке гранта Президента РФ (MK-4865.2016.2) и Министерства образования и науки РФ в рамках государственного задания вузам в сфере научной деятельности на 2014-2016 гг. (проект N 740, задание N 3.130.2014/K). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44282.284
- Ю.А. Жарова, Г.В. Федулова, Е.В. Астрова, А.В. Балдычева, В.А. Толмачев, Т.С. Перова. ФТП 45, 8, 1136 (2011)
- L.Yu. Kupriyanov. Semiconductor sensors in physico-chemical studies. Elsevier, Amsterdam (1996). 400 p
- A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, Yu.M. Spivak, V.A. Moshnikov. Mater. Chem. Phys. 135, 2-3, 293 (2012)
- V.A. Moshnikov, I. Gracheva, A.S. Lenshin, Y.M. Spivak, M.G. Anchkov, V.V. Kuznetsov, J.M. Olchowik. J. Non-Cryst. Solids 358, 3, 590 (2012)
- А.В. Шапошник, А.А. Звягин, С.Н. Корчагина, С.В. Рябцев, Д.А. Шапошник. Сорбционные и хроматографические процессы 12, 2, 261 (2012)
- А.С. Леньшин, П.В. Середин, Д.А. Минаков, В.М. Кашкаров, Б.Л. Агапов, Э.П. Домашевская, И.Е. Кононова, В.А. Мошников, Н.С. Теребова, И.Н. Шабанова. ФТП 48, 4, 570 (2014).
- Ю.А. Вашпанов, В.А. Смынтына. Адсорбционная чувствительность полупроводников. Астропринт, Одесса (2005). 216 с
- Y.-J. Hsu, S.-Y. Lu. J. Phys. Chem. B 109, 4398 (2005)
- N.-S. Choi, Y. Yao, Y. Cui, J. Cho. J. Mater. Chem. 21, 9825 (2011)
- И.А. Аверин, С.Е. Игошина, В.А. Мошников, А.А. Карманов, И.А. Пронин, И.Е. Теруков. ЖТФ 85, 6, 143 (2015)
- Ю.А. Юраков, С.В. Рябцев, О.А. Чувенкова, Э.П. Домашевская, А.С. Никитенко, С.В. Канныкин, С.Б. Кущев. Кристаллография 54, 1, 116 (2009)
- С.В. Рябцев, О.А. Чувенкова, А.Е. Попов, Ф.М. Чернышов, Н.С. Рябцева, Э.П. Домашевская. Конденсированные среды и межфазные границы 14, 3, 328 (2012)
- A.S. Lenshin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.M. Kashkarov. Mater. Sci. Semicond. Proc. 30, 25 (2015)
- D.A. Shirley. Phys. Rev. B 5, 4709 (1972)
- NIST X-ray photoelectron spectroscopy database; http://srdata.nist.gov/xps
- A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, A.N. Bel'tyukov, F.Z. Gil'mutdinov. Appl. Surf. Sci. 359, 550 (2015)
- А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, С.Ю. Турищев, М.С. Смирнов, Э.П. Домашевская. ЖТФ 82, 2, 150 (2012).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
