Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
2Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
Email: lenshinas@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.
С использованием методов растровой электронной микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии проведены исследования особенностей морфологии и состава поверхности нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления. Обнаружено, что сформированные нанокомпозиты в зависимости от толщины осажденного слоя олова различаются между собой соотношением основных фаз: диоксида олова, субоксида и металлического олова. При этом доля окисленного олова в фазовом составе композитов уменьшается от поверхности к объему образца. Установлено, что осаждение нанослоев олова не приводит к значительному изменению фазового состава подложки пористого кремния. Работа выполнена при поддержке гранта Президента РФ (MK-4865.2016.2) и Министерства образования и науки РФ в рамках государственного задания вузам в сфере научной деятельности на 2014-2016 гг. (проект N 740, задание N 3.130.2014/K). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44282.284
- Ю.А. Жарова, Г.В. Федулова, Е.В. Астрова, А.В. Балдычева, В.А. Толмачев, Т.С. Перова. ФТП 45, 8, 1136 (2011)
- L.Yu. Kupriyanov. Semiconductor sensors in physico-chemical studies. Elsevier, Amsterdam (1996). 400 p
- A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, Yu.M. Spivak, V.A. Moshnikov. Mater. Chem. Phys. 135, 2-3, 293 (2012)
- V.A. Moshnikov, I. Gracheva, A.S. Lenshin, Y.M. Spivak, M.G. Anchkov, V.V. Kuznetsov, J.M. Olchowik. J. Non-Cryst. Solids 358, 3, 590 (2012)
- А.В. Шапошник, А.А. Звягин, С.Н. Корчагина, С.В. Рябцев, Д.А. Шапошник. Сорбционные и хроматографические процессы 12, 2, 261 (2012)
- А.С. Леньшин, П.В. Середин, Д.А. Минаков, В.М. Кашкаров, Б.Л. Агапов, Э.П. Домашевская, И.Е. Кононова, В.А. Мошников, Н.С. Теребова, И.Н. Шабанова. ФТП 48, 4, 570 (2014).
- Ю.А. Вашпанов, В.А. Смынтына. Адсорбционная чувствительность полупроводников. Астропринт, Одесса (2005). 216 с
- Y.-J. Hsu, S.-Y. Lu. J. Phys. Chem. B 109, 4398 (2005)
- N.-S. Choi, Y. Yao, Y. Cui, J. Cho. J. Mater. Chem. 21, 9825 (2011)
- И.А. Аверин, С.Е. Игошина, В.А. Мошников, А.А. Карманов, И.А. Пронин, И.Е. Теруков. ЖТФ 85, 6, 143 (2015)
- Ю.А. Юраков, С.В. Рябцев, О.А. Чувенкова, Э.П. Домашевская, А.С. Никитенко, С.В. Канныкин, С.Б. Кущев. Кристаллография 54, 1, 116 (2009)
- С.В. Рябцев, О.А. Чувенкова, А.Е. Попов, Ф.М. Чернышов, Н.С. Рябцева, Э.П. Домашевская. Конденсированные среды и межфазные границы 14, 3, 328 (2012)
- A.S. Lenshin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.M. Kashkarov. Mater. Sci. Semicond. Proc. 30, 25 (2015)
- D.A. Shirley. Phys. Rev. B 5, 4709 (1972)
- NIST X-ray photoelectron spectroscopy database; http://srdata.nist.gov/xps
- A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, E.P. Domashevskaya, A.N. Bel'tyukov, F.Z. Gil'mutdinov. Appl. Surf. Sci. 359, 550 (2015)
- А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, С.Ю. Турищев, М.С. Смирнов, Э.П. Домашевская. ЖТФ 82, 2, 150 (2012).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
