Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2023
- 1 2 3
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния

DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44279.261

Егоров В.К.¹, Егоров Е.В.¹, Кукушкин С.А. ^2,3,4,5, Осипов А.В.^2,3,4

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

²Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

⁴Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

⁵Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com

Поступила в редакцию: 27 июня 2016 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом каналирования ионов исследованы образцы карбида кремния, синтезированные из кремния методом топохимического замещения атомов. Результаты анализа однозначно доказывают наличие структурной гетероэпитаксии. Решетка синтезируемого карбида кремния гексагонального политипа 6H эпитаксиально согласована в направлении <0001> с решеткой исходного кремния подложки в направлении <111>. Выявлены основные особенности структурного самосогласования в этом эпитаксиальном гетерокомпозите. Несмотря на очень большое несоответствие параметров решеток карбида кремния и кремния, плотность дислокаций несоответствия на границе раздела невелика, что является особенностью метода топохимического замещения атомов, приводящего к соизмеримым структурам. В.К.Е и Е.В.E выражают благодарность за финансовую поддержку РФФИ (проекты N 15-08-02618-а и 16-07-00665), С.А.К. и А.В.О. выражают благодарность за финансовую поддержку РНФ (грант N 14-22-00018). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44279.261

L.C. Feldman, J.W. Mayer, S.T. Picraux. Material analysis by ion channeling. Academic Press, N. Y. (1982). 300 p
Э.Т. Шипатов. Каналирование ионов. Изд-во Ростов. ун-та, Ростов н/Д (1986). 140 с
High energy ion beam analysis of solids / Eds G. Gotz, K. Gartner. Academic-Verlag, Berlin (1988). 376 p
В.К. Егоров, Е.В. Егоров, Ю.М. Миронов. В сб.: Научные труды 20-й Межд. научно-техн. конф. Высокие технологии в промышленности России". Изд. МГТУ им. Н.Э. Баумана, М. (2015). С. 178
В.К. Егоров, Е.В. Егоров, М.С. Афанасьев. Наноинженерия. 11, 38 (2012)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 1457 (2014)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 725 (2016)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
С.А. Кукушкин, А.В. Лукьянов, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. Письма в ЖТФ 40, 1, 71 (2014)
R.L. Doolittle. Nucl. Instr. Meth. B9, 344 (1985)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 47, 1575 (2013)
J.R. Bird, J.S. Williams. Ion beams for material analysis. Academic Press, Sidney (1989). 719 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель