Вышедшие номера
Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
Егоров В.К.1, Егоров Е.В.1, Кукушкин С.А. 2,3,4,5, Осипов А.В.2,3,4
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Методом каналирования ионов исследованы образцы карбида кремния, синтезированные из кремния методом топохимического замещения атомов. Результаты анализа однозначно доказывают наличие структурной гетероэпитаксии. Решетка синтезируемого карбида кремния гексагонального политипа 6H эпитаксиально согласована в направлении <0001> с решеткой исходного кремния подложки в направлении <111>. Выявлены основные особенности структурного самосогласования в этом эпитаксиальном гетерокомпозите. Несмотря на очень большое несоответствие параметров решеток карбида кремния и кремния, плотность дислокаций несоответствия на границе раздела невелика, что является особенностью метода топохимического замещения атомов, приводящего к соизмеримым структурам. В.К.Е и Е.В.E выражают благодарность за финансовую поддержку РФФИ (проекты N 15-08-02618-а и 16-07-00665), С.А.К. и А.В.О. выражают благодарность за финансовую поддержку РНФ (грант N 14-22-00018). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44279.261