Вышедшие номера
Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
Кукушкин С.А. 1,2,3, Осипов А.В.1,3, Бессолов В.Н.1,4, Коненкова Е.В.1,4, Пантелеев В.Н.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Обнаружен эффект изменения направления распространения дислокации несоответствия при росте слоев GaN на поверхности структуры AlN/SiC/Si(111). Эффект заключается в том, что при достижении слоем GaN, растущим на AlN/SiC/Si(111) определенной толщины ~300 nm, дислокации несоответствия первоначально, распространяющиеся вдоль оси роста слоя останавливаются и начинают двигаться в перпендикулярном к оси роста направлению. Построена теоретическая модель зарождения AlN и GaN на грани (111) SiC/Si, объясняющая эффект изменения направления движения дислокации несоответствия. Обнаружен экспериментально и объяснен теоретически эффект смены механизма зарождения с островкового для AlN на SiC/Si(111) на послойный при зарождении слоя GaN на AlN/SiC/Si. Авторы благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102). Работа выполнена при использовании оборудования Уникальной научной установки (УНУ) Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУН ИПМаш РАН (г. Санкт-Петербург). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44266.287
  1. S. Pimputkar, J.S. Speck, S.P. DenBars, S. Nakamura. Nature Photon 3, 180 (2009)
  2. J. Komiyama, D. Yoshihisa, S. Suzuki, K. Toru, H. Nakanishi. Appl. Phys. Lett. 88, 091 901 (2006)
  3. G. Ferro. Solid State Mater. Sci. 40, 56 (2015)
  4. A. Severinoa, C. Lockeb, R. Anzalonea, M. Camardaa, N. Pilusoa, A.La Magnaa, S.E. Saddowb, G. Abbondanzac, G.D'Arrigoa, F.La Viaa. ECS Transactions 35, 99 (2011)
  5. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  6. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
  7. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
  8. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  9. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 725 (2016)
  10. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.N. Rodin. Rev. Adv. Mater. Sci. 38, 75 (2014)
  11. L.M. Sorokin, A.V. Myasoedov, A.E. Kalmykov, D.A. Kirilenko, V.N. Bessolov, S.A. Kukushkin. Semicond. Sci. Technol. 30, 114 002 (2015)
  12. В.Н. Бессолов, В.Ю. Давыдов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Г.Н. Мосина, С.Д. Раевский, С.Н. Родин, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, P.H. Seok, K. Masayoshi. ПЖТФ 31, 30 (2005)
  13. J.W. Matthews, A.E. Blackeslee, S. Mader. Thin Solid Films 33, 253 (1976)
  14. А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров. Образование кристаллов. Современная кристаллография. Т. 3 / Под ред. В.К. Вайнштейна, А.А. Чернова, Л.А. Шувалова. Наука, M. (1980). 408 с
  15. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Progr. Surf. Sci. 151, 1 (1996)
  16. S.A. Kukushkin, T.V. Sakalo. Acta Metal. Mater. 41, 1237 (1993)
  17. S.A. Kukushkin, T.V. Sakalo. Acta Metal. Mater. 42, 2797 (1994)
  18. T.V. Sakalo, S.A. Kukushkin. Appl. Surf. Sci. 92, 350 (1996)
  19. Л.М. Сорокин, А.Е. Калмыков, В.Н. Бессолов, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин, Н.В. Веселов. ПЖТФ 37, 72 (2011)
  20. K. Hiramatsu. Effects of buffer layers and advanced technologies on heteroepitaxy of GaN. Advances in Crystal Growth Research / Eds K. Sato, Y. Furukawa, K. Nakajima. Elsevier Amsterdam--London--N. Y.--Oxford--Paris--Shannon--Tokyo (2001). P. 210
  21. Р.С. Телятник, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. ФТТ 57, 153 (2015)
  22. J. Neugebauer, T. Zywietz, M. Scheer, J. Northrup. Appl. Surf. Sci. 159--160, 355 (2000)
  23. X. Gonze, B. Amadon, P.M. Anglade, J.-M. Beuken, F. Bottin, P. Boulanger, F. Bruneval, D. Caliste, R. Caracas, M. Cote, T. Deutsch, L. Genovese, Ph. Ghosez, M. Giantomassi, S. Goedecker, D. Hamann, P. Hermet, F. Jollet, G. Jomard, S. Leroux, M. Mancini, S. Mazevet, M.J.T. Oliveira, G. Onida, Y. Pouillon, T. Rangel, G.-M. Rignanese, D. Sangalli, R. Shaltaf, M. Torrent, M.J. Verstraete, G. Z'erah, J.W. Zwanziger. Comp. Phys. Commun. 180, 2582 (2009)
  24. Silicon Carbide / Eds W.J. Choyke, H.M. Matsunami, G. Pensl. Akademie Berlin (1998). V. 2
  25. В.Г. Дубровский. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. Физматлит, М. (2009). 351 с
  26. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.В. Редьков. ФТТ 56, 2440 (2014)
  27. Y. Kumagai, K. Takemoto, J. Kikuchi, T. Hasegawa, H. Murakami, A. Koukitu. Phys. Status Solidi (b) 243, 1431 (2006)
  28. A. Koukitu, S. Hama, T. Taki, H. Seki. Jpn. J. Appl. Phys. 37, 762 (1998)
  29. А.А. Барыбин. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы. Физматлит. М. (2006). 424 с
  30. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1083 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.