Получение наноостровковых пленок Sn, Al, Cu и исследование их электропроводящих свойств
Томилин С.В.
1, Бержанский В.Н.
1, Милюкова Е.Т.
1, Томилина О.А.
1, Яновский А.С.
21Научно-исследовательский центр функциональных материалов и нанотехнологий, Физико-технический институт, Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
2Запорожский национальный университет, Запорожье, Украина
Email: tomilin_znu@mail.ru, v.n.berzhansky@gmail.com, milyukova.elena@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.
Представлены результаты получения наноостровковых пленок Sn, Al, Cu на диэлектрических подложках и исследования их морфологических и электропроводящих свойств. Показано, что исходная эффективная толщина плeнки существенно влияет на морфологические параметры наноостровков. При исследовании проводимости плeнок на этапе конденсации выявлен эффект спада проводимости после прекращения осаждения, который связан с процессами наноструктурирования. При исследовании температурных зависимостей проводимости плeнок обнаружены три области изменения электропроводности: низкотемпературная область активационного роста, область спада при наноструктурировании и высокотемпературная область активационного роста. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках базовой части государственного задания N 2015/701(код проекта 3879) и Государственного совета Республики Крым в рамках гранта молодым учeным Республики Крым (пост. N п170-1/16 от 02.02.2016). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44263.197
- И.А. Антонец, Л.Н. Котов, С.В. Некипелов, Е.Н. Карпушов. ЖТФ 74, 11, 102 (2004)
- А. Иванов. Соврем. светотехника 1, 45 (2010)
- Ю. Панфилов Технологии в электронной промышленности 3, 76 (2007)
- Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев. Рост Ge(Si) самоформирующихся наноостровков на подложках Si(001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Электронное пособие]. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород (2010). 17 с
- А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский. ФТТ 46, 80 (2004)
- А.Г. Бембель, В.М. Самсонов, М.Ю. Пушкарь, М.В. Самсонов. Вестн. ТвГУ. Cер. Физика 6, 98 (2009)
- К. Судзуки, Х. Фудзимори, К. Хасимото. Аморфные металлы / Пер. с яп. Е.И. Поляка. Металлургия, М. (1987). 328 с
- Технология тонких пленок. (Т. 2) / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга; пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолок. Сов. радио, М. (1977). 768 с
- А.С. Яновский, С.В. Томилин. Поверхность 2, 47 (2013)
- E.S. Shim, H.S. Kang, S.S. Pang, J.S. Kang, I. Yun, S.Y. Lee. Mater. Sci. Eng. B. 102, 366 (2003)
- H.M. Kalpana, V.S. Prasad, M.M. Nayak. Int. J. Thin Films Sci. Technol. 2, 155 (2013)
- M.H. Habibi, N. Talebian. Acta Chim. Slov. 52, 53 (2005)
- D. Raoufi, A. Kiasatpour, H.R. Fallah, A.S.H. Rozatian. Appl. Surf. Sci. 253, 9085 (2007)
- D.G. Lim, G.S. Kang, S.I. Kwon, J.H. Yi. J. Korean Phys. Soc. 51, 1073 (2007)
- S.V. Tomilin, A.S. Yanovsky. J. Nano- and Electron. Phys. 5, 03 014 (2013)
- Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, A.А. Бунаков. ФТТ 49, 179 (2007)
- М.П. Фатеев. ФТТ 52, 1053 (2010)
- А.П. Болтаев, Н.А. Пенин, А.О. Погосов, Ф.А. Пудонин. ЖЭТФ 126, 954 (2004)
- В.И. Светцов, И.В. Холодков. Физическая электроника и электронные приборы. Ивановский гос. хим.-технол. ун-т, Иваново (2008). 494 с
- Л.П. Павлов. Методы измерений параметров полупроводниковых материалов. Высш. шк., М. (1987). 240 с
- K.M. McPeak, S.V. Jayanti, S.J.P. Kress, S. Meyer, S. Iotti, A. Rossinelli, D.J. Norris. ACS Photonics 2, 326 (2015)
- В.А. Белоус, В.М. Лунев, В.С. Павлов, А.К. Турчина. Вопр. атомной науки и техники 4, 221 (2006)
- Б.А. Осадин, Г.И. Шаповалов. Физика и химия обраб. материалов 5, 43 (1976)
- В.Б. Лобода, С.Н. Хурсенко. ЖЭТФ 130, 911 (2006)
- A. Ito, H. Masumoto, T. Goto. Mater. Transact. 49, 158 (2008)
- I.A. Gladskikh, N.B. Leonov, S.G. Przhibel'skii, T.A. Vartanyan. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics 4, 524 (2013)
- P.B. Catrysse, Sh. Fan. Nano Lett. 10, 2944 (2010)
- J.L.M. Rupp, L.J. Gauckler. Solid State Ion. 177, 2513 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
