Вышедшие номера
Об оценках смещения G-пика рамановского спектра эпитаксиального графена
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

В модели двух связанных осцилляторов рассмотрено смещение частоты рамановского пика G эпитаксиального графена вследствие взаимодействия с подложкой, описываемого эффективной силовой константой связи k. Показано, что относительный сдвиг G-пика Deltaomega(G)/omega(G) propto k/k0g, где k0g - силовая константа центрального взаимодействия однослойного графена. На основании предположения, что k propto P и k propto -T (где P и T - давление и температура) и что именно изменение k является доминирующим, дано качественное объяснение экспериментальных зависимостей Deltaomega(G) от P и T. Кратко обсуждается влияние подложки на уширение G-пика эпитаксиального графена. DOI: 10.21883/FTT.2017.03.44178.209
  1. D. Yoon, H. Cheong. In: Raman spectroscopy for nanomaterials characterization / Ed. by Challa S.S.R. Kumar. Springer (2012). P. 191
  2. L.M. Malard, M.A. Pimenta, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus. Phys. Rep. 473, 51 (2009)
  3. A.C. Ferrari, D.M. Basko. Nature Nanotechnol. 8, 235 (2013)
  4. Z.H. Ni, W. Chen, X.F. Fan, J.L. Kuo, T. Yu, A.T.S. Wee, Z.X. Shen. Phys. Rev. B 77, 115416 (2008)
  5. N. Ferralis, R. Maboudian, C. Carraro. Phys. Rev. Lett. 101, 156801 (2008)
  6. J. Robinson, C. Puls, N. Staley, J. Stitt, M. Fanton, K. Emtsev, T. Seyller, Y. Liu. Nano Lett. 9, 964 (2009)
  7. E. Anastassakis, A. Pinczuk, E. Burstein, F.H. Pollak, M. Cardona. Solid State Commun. 8, 133 (1970)
  8. H. Sakata, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, M. Enda. J. Appl. Phys. 63, 2769 (1988)
  9. J.W. Ager III, S. Anders, A. Anders, I.G. Brown. Appl. Phys. Lett. 66, 3444 (1995)
  10. J. Rohrl, M. Hundhausen, K. V. Emtsev, T. Seyller, R. Graupner, L. Ley. Appl. Phys. Lett. 92, 201918 (2008)
  11. N. Ferralis, R. Maboudian, C. Carraro, Phys. Rev. B 83, 081410 (2011)
  12. F. Fromm, M.H. Oliveira Jr., A. Molina-Sanchez, M. Hundhausen, J.M. Lopes, H. Riechert, L. Wirtz, T. Seyller. New J. Phys. 15, 043031 (2013)
  13. N.S. Luo, P. Ruggerone, J.P. Tonnies. Phys. Rev. B 54, 5051 (1996)
  14. C. Oshima, A. Nagashima. J. Phys.: Condens. Matter 9, 1 (1997)
  15. A. Politano. arXiv: 1601.00573
  16. С.Ю. Давыдов. ФТТ 52, 172 (2010)
  17. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1983). Т. 1. 382 с
  18. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников. Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", СПб. (2007); twirpx.com/file/1014608/
  19. J. Borysiuk, J. So tys, R. Bozek, J. Piechota, S. Krukowski, W. Strupinski, J.M. Baranowski, R. Stepniewski. Phys. Rev. B 85, 045426 (2012)
  20. А.А. Блистанов, В.С. Бондаренко, Н.В. Переломова, Ф.Н. Стрижевская, В.В. Чкалова, М.П. Шаскольская. Акустические кристаллы. Справочник. Наука, М. (1982). 632 с
  21. В.М. Грабов, С.Ю. Давыдов, Ю.П. Миронов, А.М. Джумиго. ФТТ 27, 2017 (1985)
  22. J.E. Proctor, E. Gregoryanz, K.S. Novoselov, M. Lotya, J.N. Coleman, M.P. Halsall. Phys. Rev. B 80, 073408 (2009)
  23. S. Lu, M. Yao, X. Yang, Q. Li, J. Xiao, Z. Yao, L. Jiang, R. Liu, Bo Liu, S. Chen, B. Zou, T. Cui, B. Liu. Chem. Phys. Lett. 585, 101 (2013)
  24. С.П. Никаноров, Б.К. Кардашев. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. Наука, М. (1985). 250 с
  25. С.Ю. Давыдов. ФТТ 52, 756 (2010)
  26. A.C. Ferrari, J.C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K.S. Novoselov, S. Roth, A.K. Geim. Phys. Rev. Lett. 97, 187401 (2006)
  27. D. Graf, F. Molitor, K. Ensslin, C. Stampfer, A. Jungen, C. Hierold, L. Wirtz. Nano Lett. 7, 238 (2007)
  28. A. Cocemasov, D. Nika. In: ISPC "Modern information and electronic technologies". Odessa (2013). P. 130

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.