Издателям
Вышедшие номера
Релаксационные явления в монокристаллах TlGa0.99Fe0.01Se2
Мустафаева С.Н.1, Гасанов А.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: itpcht@itpcht.ab.az
Поступила в редакцию: 12 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Обнаружено, что в монокристаллах TlGa0.99Fe0.01Se2 в постоянном электрическом поле протекают релаксационные электронные процессы, обусловленные аккумулированием в них значительных зарядов. Установлено, что релаксация тока при различных электрических полях и температурах, гистерезис ВАХ и накопление заряда в TlGa0.99Fe0.01Se2 согласуются с эстафетным механизмом переноса заряда, образованного на глубоких энергетических уровнях в запрещенной зоне за счет инжекции носителей с контакта. В изученных монокристаллах определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы: эффективная подвижность заряда, переносимого с помощью глубоких центров, muf=5.6·10-2 cm2/V·s при 300 K и ее энергия активации Delta E=0.54 eV; контактная емкость образца Cc=5·10-8 F; область сосредоточения заряда в кристалле dc=1.17·10-6 cm; постоянная зарядки контакта tau=15 s; время пролета носителей заряда через образец tt=1.8·10-3 s; энергия активации ловушек, ответственных за релаксацию тока, Delta Esigma=Delta EQ=0.58 eV.
  1. С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов, Э.М. Керимова. Изв. НАН Азербайджана. Сер. физ.-мат. и техн. наук 23, 117 (2003)
  2. Б.Л. Тиман. ФТП 7, 225 (1973)
  3. A. Many, G. Rakavy. Phys. Rev. 126, 1980 (1962)
  4. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 416 с
  5. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.