Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
Антипов В.В.1,2, Кукушкин С.А.1,3,4, Осипов А.В.1,3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Впервые выращен эпитаксиальный теллурид кадмия толщиной 1-3 mum на кремнии с буферным слоем карбида кремния методом открытого термического испарения и конденсации в вакууме. Оптимальная температура подложки составила 500oC при температуре испарителя 580oC, время роста 4 s. Для более качественного роста теллурида кадмия на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом топохимического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Эллипсометрический, рамановский, рентгеновский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя CdTe и отсутствие поликристаллической фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 14-12-01102). Исследования проводились при использовании оборудования Уникальной научной установки (УНО) "Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУН ИПМаш РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.02.44067.288
  1. И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Изд-во ЛГУ, Л. (1978). 311 с
  2. Y. Zhao, M. Boccard, S. Liu, J. Becker, X.-H. Zhao, C.M. Campbell, E. Suarez, M.B. Lassise, Z. Holman, Y.-H. Zhang. Nature Energy 1, 16 067 (2016)
  3. G.M. Lalev, J. Wang, J.-W. Lim, S. Abe, K. Masumoto, M. Isshiki. Appl. Surf. Sci. 242, 295 (2005)
  4. J.D. Major, K. Durose. Solar Energy Mater. Solar Cells 95, 3165 (2011)
  5. J. Luschitz, B. Siepchen, J. Schaffner, K. Lakus-Wollny, G. Haindl, A. Klein, W. Jaegermann. Thin Solid Films 517, 2125 (2009)
  6. H. Gomez, R. Henriquez, R. Schrebler, R. Cordova, D. Ramirez, G. Riveros, E.A. Dalchielec. Electroch. Acta 50, 1299 (2005)
  7. K. Ploog, W. Stetter, A. Nowitzki, E. Schonherr. Mater. Res. Bull. 11, 1147 (1976)
  8. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
  9. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D. 47, 313 001 (2014)
  10. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  11. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
  12. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 725 (2016)
  13. В.В. Антипов С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 612 (2016)
  14. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.И. Романычев. ФТТ 58, 1398 (2016)
  15. Ellipsometry at the Nanoscale / Eds M. Losurdo, K. Hingerl. Springer, Berlin (2013). 730 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.