Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
Впервые выращен эпитаксиальный теллурид кадмия толщиной 1-3 mum на кремнии с буферным слоем карбида кремния методом открытого термического испарения и конденсации в вакууме. Оптимальная температура подложки составила 500oC при температуре испарителя 580oC, время роста 4 s. Для более качественного роста теллурида кадмия на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом топохимического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Эллипсометрический, рамановский, рентгеновский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя CdTe и отсутствие поликристаллической фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 14-12-01102). Исследования проводились при использовании оборудования Уникальной научной установки (УНО) "Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУН ИПМаш РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.02.44067.288
- И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений AIIBVI. Изд-во ЛГУ, Л. (1978). 311 с
- Y. Zhao, M. Boccard, S. Liu, J. Becker, X.-H. Zhao, C.M. Campbell, E. Suarez, M.B. Lassise, Z. Holman, Y.-H. Zhang. Nature Energy 1, 16 067 (2016)
- G.M. Lalev, J. Wang, J.-W. Lim, S. Abe, K. Masumoto, M. Isshiki. Appl. Surf. Sci. 242, 295 (2005)
- J.D. Major, K. Durose. Solar Energy Mater. Solar Cells 95, 3165 (2011)
- J. Luschitz, B. Siepchen, J. Schaffner, K. Lakus-Wollny, G. Haindl, A. Klein, W. Jaegermann. Thin Solid Films 517, 2125 (2009)
- H. Gomez, R. Henriquez, R. Schrebler, R. Cordova, D. Ramirez, G. Riveros, E.A. Dalchielec. Electroch. Acta 50, 1299 (2005)
- K. Ploog, W. Stetter, A. Nowitzki, E. Schonherr. Mater. Res. Bull. 11, 1147 (1976)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D. 47, 313 001 (2014)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 1457 (2014)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 725 (2016)
- В.В. Антипов С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 612 (2016)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.И. Романычев. ФТТ 58, 1398 (2016)
- Ellipsometry at the Nanoscale / Eds M. Losurdo, K. Hingerl. Springer, Berlin (2013). 730 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
