Вышедшие номера
Низкотемпературная методика очистки поверхности p-GaN(0001) для фотоэмиттеров с эффективным отрицательным электронным сродством
Терещенко О.Е., Шайблер Г.Э., Ярошевич А.С., Шевелев С.В., Терехов А.С., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Бесюлькин А.И.
Поступила в редакцию: 4 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электрона высокого разрешения и дифракции медленных электронов изучена эволюция химического состава, атомной структуры и электронных свойств поверхности p-GaN(0001) при ее химической обработке раствором HCl в изопропиловом спирте (HCl--ИПС) и прогреве в вакууме. Показано, что химическая обработка поверхности GaN удаляет значительную часть поверхностного оксида галлия, а последующий прогрев поверхности в вакууме в интервале температур 400-450oC уменьшает остаточные загрязнения углеродом и кислородом до 3-5% от монослоя. Дифракция медленных электронов подтвердила получение чистой поверхности p-GaN(0001) со структурой объемной элементарной ячейки (1x1). Адсорбция цезия на чистую поверхность p-GaN приводила к снижению работы выхода на ~2.5 eV и появлению на поверхности эффективного отрицательного электронного сродства. Квантовая эффективность GaN-фотокатода составила 26% на длине волны 250 nm. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16639), Фонда содействия отечественной науке и Совета по грантам Президента Российской Федерации.
  1. R.W. Hunt, L. Vanzetti, T. Castro, K.M. Chen, L. Sobra, P.I. Cohen, W. Gladfelter, J.M. von Hove, J.N. Kuznia, M.A. Khan, A. Franciosi. Physica B 185, 415 (1993)
  2. J. Ma, B. Garni, N. Perkins, W.L. O'Brien, T.F. Kuech, M.G. Lagally. Appl. Phys. Lett. 69, 3351 (1996)
  3. M.A. Khan, J.N. Kuznia, D.T. Olson, R. Kaplan. Appl. Phys. 73, 3108 (1993)
  4. V.M. Bermudes, M.A. Khan, R. Kaplan, J.N. Kuznia. Phys. Rev. B 48, 2436 (1993)
  5. V.M. Bermudes, T.M. Jung, K. Doverspike, A.E. Wickenden. J. Appl. Phys. 79, 110 (1996)
  6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto. Appl. Phys. Lett. 68, 3269 (1996)
  7. F. Machuca, Y. Sun, Z. Liu, K. Ioakeimidi, P. Pianetta, R.F.W. Pease. J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3042 (2000)
  8. F. Machuca, Z. Liu, Y. Sun, P. Pianetta, W.E. Spicer, R.F.W. Pease. J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1784 (2002)
  9. S. Pastuszka, A.S. Terekhov, A. Wolf. Appl. Surf. Sci. 99, 361 (1996)
  10. R. Holton, P.M. Gundry. Surf. Sci. 63, 263 (1977)
  11. S.W. King, J.P. Barnak, M.D. Bremser, K.M. Tracy, C. Ronning, R.F. Davis, R.J. Nemanich. J. Appl. Phys. 84, 5248 (1998)
  12. I. Waki, H. Fujioka, K. Ono, M. Oshima, H. Miki, A. Fukizava. Jpn. J. Appl. Phys. 39, 4451 (2000)
  13. S. Tripathy, S.J. Chua, A. Ramam. J. Phys.: Condens. Mater 14, 4461 (2002)
  14. Г.В. Бенеманская, А.И. Бесюлькин, М.С. Дунаевский, А.К. Крыжановский, Н.М. Шмидт. ФТТ 45, 980 (2003)
  15. Z.M. Zhao, R.L. Jiang, P. Chen, D.J. Xi, B. Shen, R. Zhang, Y.D. Zheng. J. Vac. Sci. Technol. B 19, 286 (2001)
  16. J.-L. Lee, M. Weber, J.K. Kim, J.W. Lee, Y.J. Park, T. Kim, K. Lynn. Appl. Phys. Lett. 74, 2289 (1999)
  17. V.J. Belitto, B.D. Thoms, D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry. Surf. Sci. 430, 80 (1999)
  18. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, M. Murakami. J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997)
  19. O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov. J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2655 (1999)
  20. O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, F. Wiame, A. Taleb-Ibrahimi. Appl. Phys. Lett. 82, 4280 (2003)
  21. Д. Бриггс, М.П. Сиха. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Мир, М. (1987). 600 с
  22. T. Tsuruoka, M. Kawasaki, S. Ushida, R. Franchy, Y. Naoi, T. Sugahara, S. Sakai, Y. Shintani. Surf. Sci. 427--428, 257 (1998)
  23. A. Degiovanni, J.L. Guyaux, P.A. Thiry, R. Caudano. Surf. Sci. 251 / 252, 238 (1991)
  24. A.A. Aquino, T.S. Jones. Appl. Surf. Sci. 104 / 105, 304 (1996)
  25. C.I. Wu, A. Kahn. Appl. Surf. Sci. 162 / 163, 250 (2000)
  26. T.U. Kampen, M. Eyckeler, W. Monch. Appl. Surf. Sci. 123 / 124, 28 (1998)
  27. O.E. Tereshchenko, A.A. Pakhnevich, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, S.V. Shevelev, A.S. Terekhov. Book of abstracts of the workshop "Polarized Sources and Target" (PST2003). Novosibirsk (2003). P. 26

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.