Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с разрешением по глубине исследовано распределение фазового химического состава на межфазовой границе (МФГ) Al₂O₃/Si, сформированной в процессе молекулярного наслаивания слоя Al₂O₃ толщиной 100 nm на поверхность Si(100) (c-Si). Для анализа использовались L_2,3-полосы Al и Si. Обнаружено, что МФГ Al₂O₃/Si, отделяющая подложку c-Si от слоя Al₂O₃, имеет толщину примерно 60 nm и обладает сложной структурой. Ее верхний слой помимо Al₂O₃ содержит атомы Al, находящиеся в координации, характерной для металлического Al (по-видимому, это достаточно крупные кластеры Al). Как показал анализ формы полос Si, примыкающий к границе подложки слой толщиной не более 10 nm содержит атомы Si, находящиеся в необычном химическом состоянии, не характерном для аморфного Si, c-Si, SiO₂ или SiO_x (можно предположить, что это мелкие кластеры Si). Вблизи подложки обнаружено присутствие SiO₂. Свойства более толстых покрытий оказались подобными и сильно отличающимися от структуры МФГ тонких слоев Al₂O₃. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-03-32771).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.