Вышедшие номера
Спектроскопия резонансного возбуждения экситонной люминесценции твердых растворов GaSe-GaTe
Старухин А.Н.1, Нельсон Д.К.1, Федоров Д.Л.1, Сюняев Д.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.starukhin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Исследованы спектры возбуждения люминесценции локализованных экситонов в твердых растворах GaSe0.85Te0.15 при T=2 K. Показано, что в спектрах возбуждения экситонов с энергией локализации varepsilon> 10 mV возникает дополнительный максимум ME, расположенный с низкоэнергетической стороны от максимума, соответствующего полосе поглощения свободного экситона с n=1. Установлено, что сдвиг положения максимума ME в спектре возбуждения относительно энергии детектируемых фотонов увеличивается по мере уменьшения энергии детектируемых фотонов, то есть с увеличением энергии локализации экситонов. При резонансном возбуждении локализованных экситонов монохроматическим светом из области полосы экситонного излучения в спектре экситонной люминесценции с низкоэнергетической стороны от линии возбуждения также наблюдается максимум излучения (ML). Энергетическое расстояние между положением возбуждающей линии и положением максимума в спектре излучения увеличивается по мере уменьшения частоты возбуждающего света. Рассматриваются возможные механизм появления описанной структуры спектров возбуждения и экситонной люминесценции в GaSe0.85Te0.15. Сделан вывод, что максимумы ME в спектре возбуждения и ML в спектре излучения обусловлены электронно-колебательными переходами с рождением и аннигиляцией локализованных экситонов соответственно. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (проект N 13-02-00891). DOI: 10.21883/FTT.2017.02.44039.481
  1. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. John Wiley \& Sons Ltd., Chichester, U. K. (2009). 400 p
  2. Дж. Займан. Модели беспорядка. Мир, М. (1982). 592 с
  3. Ж.И. Алфёров, Е.Л. Портной, А.А. Рогачев. ФТП 2, 1194 (1968)
  4. А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров, А.Н. Резницкий. ФТТ 39, 1170 (1997)
  5. S. Lai, M.V. Klein. Phys. Rev. Lett. 44, 1087 (1980)
  6. D. Ouadjaout, Y. Marfaing. Phys. Rev. B 41, 12096 (1990)
  7. S. Permogorov, A. Reznitsky. J. Luminescence 52, 201 (1992)
  8. R. Westphaling, T. Breitkopf, S. Bauer, C. Klingshirn. J. Luminescence 72--74, 980 (1997)
  9. J.J. Hopfield, D.G. Thomas, R.T. Lynch. Phys. Rev. Lett. 17, 312 (1966)
  10. R.A. Faulkner, P.J. Dean. J. Luminescence 1--2, 552 (1970)
  11. А.М. Стоунхэм. Теория дефектов в твердых телах. Мир, М. (1978). Т. 1. 569 с
  12. V. Lemos, F. Cerdeira, L. Gourkov. Solid State Commun. 20, 1101 (1976)
  13. C. Perez Leon, L. Kador, K.R. Allakhverdiev, T. Baykara, A.A. Kaya. J. Appl. Phys. 98, 103 103 (2005)
  14. А.Г. Абдукадыров, С.Д. Барановский, С.Ю. Вербин, Е.Л. Ивченко, А.Ю. Наумов, А.Н. Резницкий. ЖЭТФ 98, 2056 (1990)
  15. J. Camassel, P. Merle, H. Mathieu, A. Gouskov. Phys. Rev. B 19, 1060 (1979)
  16. J.R. Lakowicz. Principles of fluorescence spectroscopy. 3rd ed. Springer Science+Business Media, LLC, N. Y. (2006)
  17. К.К. Ребане. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. Наука. М. (1968). 233 с
  18. Zero-phonon lines and spectral hole birning in spectroscopy and photochemistry / Ed. O. Sild, K. Haller. Springer-Verlag. Berlin Heidelberg (1988). 183 p
  19. О. Маделунг. Физика твердого тела. Локализованные состояния. Наука. М. (1985). 184 с
  20. P.J. Dean. J. Luminescence 1, 2, 398 (1970)
  21. M. Oueslati, C. Benoit \`a la Guillaume, M. Zouaghi. Phys. Rev. B 37, 3037 (1988)
  22. E. Cohen, M.D. Sturge. Phys. Rev. B 25, 3828 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.