Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Обратимое изменение микротвердости кристаллов Si, вызванное малыми дозами облучения электронами

Головин Ю.И.¹, Дмитриевский А.А.¹, Пушнин И.А.¹, Сучкова Н.Ю.¹

¹Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина, Тамбов, Россия Tambov State University, Tambov, Russia

Email: dmitr2002@tsu.tmb.ru

Поступила в редакцию: 10 февраля 2004 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обнаружено обратимое разупорядочение монокристаллов кремния, инициируемое малыми дозами (D<1 cGy) бета-облучения. Наличие пиков на зависимости изменения микротвердости Si от флюенса объясняется многостадийными конкурирующими процессами преобразований радиационных дефектов. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17571), а также программы Университеты России (грант N У.Р.01.01.013).

В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники. Физматгиз, М. (1963). 264 с
В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП 34, 2, 129 (2000)
В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП 35, 7, 769 (2001)
В.А. Макара, Н.Н. Новиков. Физика и химия обраб. материалов. 6, 137 (1973)
S. Fujita, K. Maeda, S. Hyodo. Phys. Stat. Sol. A 109, 383 (1988)
Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Р.К. Николаев, И.А. Пушнин. ДАН 385, 1, 1 (2002)
А.Г. Липсон, Д.М. Саков, В.И. Савенко, Е.И. Саунин. Письма в ЖЭТФ 70, 2, 118 (1999)
Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Р.К. Николаев, И.А. Пушнин. ФТТ 45, 1, 187 (2003)
G. Golan, E. Rabinovich, A. Inberg, A. Axelevitch, M. Oksman, Y. Rosenwaks, A. Kozlovsky, P.G. Rancoita, M. Rattaggi, A. Seidman, N. Croitoru. Microelectonics Reliability 39, 1497 (1999)
B.Ya. Farber, V.I. Orlov, V.I. Nikitenko, A.H. Heuer. Phil Mag. A 78, 671 (1998)
Yu.I. Golovin, A.I. Tyurin, B.Ya. Ferber. Phil. Mag. A. 82, 10, 1857 (2002)
Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, З. Ли, Б. Шмидт. ФТП 31, 2, 235 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель