Вышедшие номера
Обратимое изменение микротвердости кристаллов Si, вызванное малыми дозами облучения электронами
Головин Ю.И.1, Дмитриевский А.А.1, Пушнин И.А.1, Сучкова Н.Ю.1
1Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина, Тамбов, Россия
Email: dmitr2002@tsu.tmb.ru
Поступила в редакцию: 10 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Обнаружено обратимое разупорядочение монокристаллов кремния, инициируемое малыми дозами (D<1 cGy) бета-облучения. Наличие пиков на зависимости изменения микротвердости Si от флюенса объясняется многостадийными конкурирующими процессами преобразований радиационных дефектов. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17571), а также программы Университеты России (грант N У.Р.01.01.013).