Вышедшие номера
Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
Соболев Н.А.1, Калядин А.Е.1, Аруев П.Н.1, Забродский В.В.1, Шек Е.И.1, Штельмах К.Ф.1,2, Карабешкин К.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Исследованы фотолюминесцентные свойства (113) дефектов, образующихся в Si-структуре после имплантации ионов кислорода с энергией 350 keV и дозами 1.7·1013-1.7·1015 cm-2 и последующего отжига при 700oC в течение 0.5-2 h в хлорсодержащей атмосфере. Независимо от дозы имплантации и времени отжига в спектрах фотолюминесценции доминирует линия с длиной волны 1.37 mum, принадлежащая (113) дефекту. Зависимости интенсивности линии от дозы имплантации и длительности отжига характеризуются кривыми с максимумами. С ростом температуры измерения в диапазоне 64-120 K интенсивность линии монотонно уменьшается. Работа Н.А. Соболева и К.В. Карабешкина частично поддержана грантом РФФИ N 14-08-01256, а работа Е.И. Шек - грантом РФФИ N 14-02-00152.