Вышедшие номера
Фотоотражение антимонида индия
Министерство образования и науки Российской Федераци, проектная часть государственного задания в сфере научной деятельности, 16.1307.2014/K
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс проектов фундаментальных научных исследований, выполняемых молодыми учеными – докторами или кандидатами наук, в научных организациях РФ в 2016-2018 годах, 16-32-60076 мол_а_дк
Комков О.С. 1,2, Фирсов Д.Д. 1, Львова Т.В. 2, Седова И.В. 2, Семeнов А.Н. 2, Соловьeв В.А. 2, Иванов С.В. 2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: okomkov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 11 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Методом фотомодуляционной инфракрасной фурье-спектроскопии измерены спектры фотоотражения слоeв n-InSb. Образцы выращены молекулярно-пучковой эпитаксией на сильнолегированных подложках n+-InSb (001), отожжeнных в различных режимах. По периоду наблюдаемых в спектрах фотоотражения осцилляций Франца-Келдыша определялась напряжeнность приповерхностного электрического поля. Отмечено, что его значение возрастает при длительном хранении образцов на воздухе. Обработка слоeв n-InSb в 1M водном растворе Na2S приводила к увеличению измеряемого поля. Ранее было показано, что при такой обработке поверхностный уровень Ферми сдвигается в глубь зоны проводимости и, вероятно, не зависит от условий и времени предварительного хранения образцов. С использованием пассивации в Na2S развитый в работе оптический метод позволяет бесконтактно измерять концентрацию электронов в гомоэпитаксиальных слоях n-InSb. Исследования в СПбГЭТУ частично поддержаны субсидией Минобрнауки РФ (N 16.1307.2014/K) и РФФИ в рамках научного проекта N 16-32-60076 мол_а_дк.
  1. НПО "Орион", http://orion-ir.ru/produkciya
  2. T. Ashley, L. Buckle, S. Datta, M.T. Emeny, D.G. Hayes, K.P. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T.J. Phillips, D.J. Wallis, P.J. Wilding, R. Chau. Electron. Lett. 43, 777 (2007)
  3. J.M.S. Orr, A.M. Gilbertson, M. Fearn, O.W. Croad, C.J. Storey, L. Buckle, M.T. Emeny, P.D. Buckle, T. Ashley. Phys. Rev. B, 77, 165334 (2008)
  4. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. Физматлит, M. (2002). Гл. 6. С. 282. [P. Yu, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties. Springer (2002).]
  5. J. Shay, R. Nahory, C. Patel. Phys. Rev., 184, 809 (1969)
  6. T.J.C. Hosea, M. Merrick, B.N. Murdin. Phys. Status Solidi A 202, 7, 1233 (2005)
  7. H. Piller, C.K. So, R.C. Whited. Surf. Sci. 37, 639 (1973)
  8. D. Auvergne, J. Camassel, H. Mathieu, A. Joullie. J. Phys. Chem. Solids 35, 133 (1974)
  9. Д.Д. Фирсов, О.С. Комков. ПЖТФ 39, 23, 87 (2013)
  10. J. Misiewichz, P. Sitarek, G. Sek, R. Kudrawiec. Mater. Sci. 21, 263 (2003)
  11. А.Н. Пихтин, М.Т. Тодоров. ФТП 27, 7, 1139 (1993)
  12. А.Н. Пихтин, О.С. Комков, К.В. Базаров. ФТП 40, 5, 608 (2006)
  13. X. Yin, H.-M. Chen, F.H. Pollak, Y. Chan, P.A. Montano, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett. 58, 3, 260 (1991)
  14. О.С. Комков, А.Н. Пихтин, Л.М. Фeдоров, Ю.В. Жиляев. ПЖТФ, 34, 1, 81 (2008)
  15. О.С. Комков, Р.В. Докичев, А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов. ПЖТФ 39, 22, 56 (2013)
  16. Т.В. Львова, М.С. Дунаевский, М.В. Лебедев, А.Л. Шахмин, И.В. Седова, С.В. Иванов. ФТП 47, 5, 710 (2013)
  17. V.A. Solov'ev, I.V. Sedova, T.V. Lvova, M.V. Lebedev, P.A. Dement'ev, A.A. Sitnikova, A.N. Semenov, S.V. Ivanov. Appl. Surf. Sci. 356, 378 (2015)
  18. О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, А.Н. Семeнов, Б.Я. Мельцер, С.И. Трошков, А.Н. Пихтин, С.В. Иванов. ФТП 47, 2, 264 (2013).
  19. S.V. Ivanov, A.A. Boudza, R.N. Kutt, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltser, S.V. Shaposhnikov, S.S. Ruvimov, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth 156, 3, 191 (1995)
  20. H. Shen, F.H. Pollak, J.M. Woodall, R.N. Sacks. J. Vac. Sci. Technol. B 7, 4, 804 (1989)
  21. N. Kallergi, B. Roughani, J. Aubel, S. Sundaram. J. Appl. Phys. 68, 4656 (1990)
  22. О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, Е.А. Ковалишина, А.С. Петров. Изв. вузов. Матер. эл. техн. 3, 194 (2014)
  23. X. Chen, J. Jung, Z. Qi, L. Zhu, S. Park, L. Zhu, E. Yoon, J. Shao. Opt. Lett. 40, 22, 5295 (2015)
  24. O.S. Komkov, G.F. Glinskii, A.N. Pikhtin, Y.K. Ramgolam. Phys. Status Solidi A 206, 5, 842 (2009)
  25. T.J.C. Hosea. Phys. Status Solidi B 189, 2, 531 (1995)
  26. C.L. Littler, D.G. Seller. Appl. Phys. Lett. 46, 10, 986 (1985)
  27. T.V. Lvova, A.L. Shakhmin, I.V. Sedova, M.V. Lebedev. Appl. Surf. Sci. 311, 300 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.