Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Отделение твердотельной электроники Центра исследований и передового обучения Национального политехнического института, Мехико, Мексика
2Отделение твердотельной электроники Центра исследований и передового обучения Национального политехнического института, Мехико, Мексика
Email: mkd@iropt2.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Эпитаксиальные слои в системе твердых растворов InAs1-x-ySbyPx в диапазоне составов 0<x<0.72 получены на подложке InAs(001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ). Послойный анализ полученных структур с помощью метода масс-спектрометрии вторичных ионов показал градиентное изменение состава вдоль направления наращивания. Резкое изменение состава на гетерогранице слой/подложка наблюдалось для четверных твердых растворов InAsSbP благодаря присутствию радикалов соединений мышьяка в газовой фазе. При эпитаксиальном наращивании на подложку InAs в системе твердых растворов InAsSbP методом МОГФЭ уменьшение содержания мышьяка в твердой фазе менее (1-x-y)<0.3 приводило к подавлению градиентности осаждаемого слоя, а также и подавлению колебаний состава в начальном переходном слое. Работа выполнена при поддержке проекта РФФИ N 14-02-01102.
- Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Н.А. Прокофьева, Т.Б. Попова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП 25, 1639 (1991)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ 27, 14, 80 (2001)
- В.В. Романов, М.В. Байдакова, К.Д. Моисеев. ФТП 48, 753 (2014)
- К.Д. Моисеев. Автореф. канд. дис. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб. (1995). 18 с
- G.B. Stringfellow. Organometallic vapor--phase epitaxy: theory and practice. 2nd ed. Academic Press, San Diego, USA (1999). 599 p
- A. Koukitu, H. Seki. J. Cryst. Growth 76, 233 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
