Вышедшие номера
Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Моисеев К.Д.1, Романов В.В.1, Кудрявцев Ю.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Отделение твердотельной электроники Центра исследований и передового обучения Национального политехнического института, Мехико, Мексика
Email: mkd@iropt2.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Эпитаксиальные слои в системе твердых растворов InAs1-x-ySbyPx в диапазоне составов 0<x<0.72 получены на подложке InAs(001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ). Послойный анализ полученных структур с помощью метода масс-спектрометрии вторичных ионов показал градиентное изменение состава вдоль направления наращивания. Резкое изменение состава на гетерогранице слой/подложка наблюдалось для четверных твердых растворов InAsSbP благодаря присутствию радикалов соединений мышьяка в газовой фазе. При эпитаксиальном наращивании на подложку InAs в системе твердых растворов InAsSbP методом МОГФЭ уменьшение содержания мышьяка в твердой фазе менее (1-x-y)<0.3 приводило к подавлению градиентности осаждаемого слоя, а также и подавлению колебаний состава в начальном переходном слое. Работа выполнена при поддержке проекта РФФИ N 14-02-01102.