Вышедшие номера
Температурная динамика доменной структуры триглицинсульфата по данным атомно-силовой микроскопии и диэлектрической спектроскопии
Овчинникова Г.И.1, Белугина Н.В.2, Гайнутдинов Р.В.2, Иванова Е.С.2, Гребенев В.В.2, Лашкова А.К.2, Толстихина А.Л.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: alla@ns.crys.ras.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Представлены результаты комплексного исследования водородсодержащего сегнетоэлектрика триглицинсульфата (TGS) методами атомно-силовой микроскопии (AFM) и диэлектрической спектроскопии. В режиме микроскопии пьезоэлектрического отклика (PFM) in situ изучена динамика доменной структуры при нагреве и охлаждении кристалла TGS вблизи фазового перехода. Получены релаксационные зависимости общего периметра доменных границ и размеров доменов. Измеренные в диапазоне частот от 10 до 1011 Hz диэлектрические спектры TGS проанализированы на основе представлений о заметном вкладе проводимости в диэлектрический отклик сегнетоэлектриков. Показано, что учет вклада проводимости в диэлектрические спектры дает хорошее согласие с экспериментом и позволяет получить дополнительную информацию о температурной динамике доменной структуры. Работа выполнена с использованием оборудования ЦКП ИК РАН при поддержке Министерства образования и науки.